DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13 产品概述

一、概述

DMN67D8LDW-13 是一款高性能的N通道场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电子应用。该器件由DIODES（美台）公司推出，具有优异的电气性能和可靠的工作特性，广泛应用于电源管理、信号开关、低电压驱动和负载控制等领域。

二、基础参数

1. FET 类型：本产品为双N-通道场效应晶体管，提供了两个独立的MOSFET，以满足更复杂电路的设计需求。

2. 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为60V，能够有效应对各种电压环境，适合在中等电压的应用场合使用。

3. 电流承载能力（Id）：在25°C的环境下，DMN67D8LDW-13能提供高达230mA的连续漏极电流，满足大多数小功率应用的需求。

4. 导通电阻（Rds(on)）：在不同的电流与栅极电压条件下，最大导通电阻为5Ω（在500mA时，Vgs为10V）。较低的导通电阻有助于提高系统的能效，降低发热量。

5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该元件的最大阈值电压为2.5V（在250µA时），适合于低电压控制应用，支持较低的驱动电压。

6. 栅极电荷（Qg）：在10V的栅极驱动下，栅极电荷最大值为0.82nC，这一特性使得在开关频率较高的应用中，门极驱动的能耗较低，响应速度快。

7. 输入电容（Ciss）：在25V工作条件下，输入电容的最大值为22pF，确保了MOSFET的快速响应特性，有利于高频开关应用。

8. 功率耗散：该器件的最大功率耗散为320mW，确保在合理的条件下能够安全工作。

9. 工作温度范围：DMN67D8LDW-13的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于广泛的环境条件，支持汽车、工业及消费电子等领域的应用。

10. 安装类型：该器件采用表面贴装型(SMD)，便于在现代小型化电路板上的集成和应用，减少了PCB面积的占用。

11. 封装类型：该MOSFET的封装为SOT-363，具有较小的占用空间，便于自动化生产和组装。

三、应用场景

DMN67D8LDW-13广泛应用于以下场合：

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）的输出开关、转换器等，具有良好的导通性和能效。

2. 信号开关：可以用作模拟信号开关、数字信号开关和负载开关等，性能稳定，响应迅速。

3. LED驱动：在LED照明电源中，作为开关器件实现对LED灯的控制。

4. 电机控制：在低功率电机驱动中，实现电机的启停和调速控制。

5. 遥控设备：适用于遥控接收器和发射器中的开关元件，保证了低电压和低功耗的工作特性。

四、总结

DMN67D8LDW-13 是一款功能强大、高效能的N通道MOSFET，凭借其高电压承受能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，它能够满足多种应用的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域，DMN67D8LDW-13都能展现出优异的性能和可靠性。对于设计师而言，选择DMN67D8LDW-13可大幅提高电路设计的灵活性与效率。