功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 43pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.6nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 414pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
一、产品基本信息
DMN2053UW-13 是由 DIODES(美台)公司生产的一款 N 沟道场效应管(MOSFET),其主要特色包括额定功率为 470mW,耐压达到 20V,持续电流为 2.9A,采用 SOT-323 封装形式。这款 MOSFET 适用于多种电子电路和系统中,尤其是在需要高效开关能力和良好热管理的应用中。
二、技术参数
三、产品特点
DMN2053UW-13 具有多个明显的技术优势,使其在多种应用中表现卓越:
低导通电阻(R_DS(on)): 此 MOSFET 设计时优化了导通电阻,确保在开关状态下实现低功耗,降低系统发热,提升电源效率。
快速开关能力: 该器件的开关特性非常出色,适合高频率开关应用。这使得它在调光、电机驱动、以及其他电子控制领域表现优异。
良好的热管理: 由于采用了 SOT-323 小型封装形式,DMN2053UW-13 在保证高性能电流控制的同时有效减小了占用空间,进一步提升电子产品的整体设计灵活性。
兼容性和可靠性: 作为业界认可的品牌,DIODES 通过高标准的生产工艺和严格的质量控制,确保了 DMN2053UW-13 的可靠性和耐久性,适合各种工业级和消费级应用。
四、应用场景
DMN2053UW-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
电源管理: 在开关电源和线性电源中,用于提供高效的电力转换和控制。
电机驱动: 在电机控制系统中,MOSFET 可用于实现高频率PWM(脉宽调制),以高效控制电机速度和转矩。
LED控制: 适合用于 LED 照明调光应用,提供高效的开关和控制能力。
便携式设备: 小型化设计允许它被集成到移动设备和便携式电子产品中,满足对体积和重量的严格要求。
快开快闭电路: 在需要快速响应速度的电路中,如功率变换器和高频开关电路,DMN2053UW-13 能提供出色的性能支持。
五、总结
DMN2053UW-13 以其优越的性能指标和多样的应用场景,在现代电子设计中扮演着重要角色。无论是在电源管理、电机驱动、LED 控制,还是在便携式设备和高频开关电路中,它都展现出色的性能与稳定性,能够有效满足设计师对高效率和低功耗的需求。
选择 DMN2053UW-13,无疑是对设计质量与性能的一种保证,让电子产品更加精简高效,推动技术向前发展。