DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13 产品概述

1. 引言

DMG6301UDW-13 是一种高性能的双 N 通道场效应管（MOSFET），由知名的电子元器件供应商 DIODES（美台）制造。该器件在多种应用场合中表现出色，广泛用于开关电源、电机驱动和电路保护等领域。其具有低电阻特性、优异的热性能以及宽广的工作温度范围，使其成为电子设计人员和工程师的理想选择。

2. 基本参数

DMG6301UDW-13 的主要参数如下：

• FET 类型：双 N 通道
• 漏源电压 (Vdss)：25V
• 连续漏极电流 (Id)：240mA（在25°C下）
• 导通电阻（最大值）：4Ω（在400mA电流和4.5V栅极电压下）
• 阈值电压 (Vgs(th))（最大值）：1.5V（在250µA漏电流下）
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）：0.36nC（在4.5V时）
• 输入电容 (Ciss)（最大值）：27.9pF（在10V时）
• 功率最大值：300mW
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）

该器件采用表面贴装型安装，封装尺寸为 SOT-363（也称为 SC-88 或 6-TSSOP），适合现代电子线路板的密集布局。

3. 可靠性与性能

DMG6301UDW-13 具备广泛的工作温度范围，从-55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下的可靠性。这一特性使得该器件非常适用于航空航天、汽车电子、和工业应用等领域。

此外，该器件的最高功率额定值为 300mW，能够应对多种应用的功率需求。其低导通电阻（4Ω）在高电流下表现良好，有助于降低功耗并提高系统的工作效率。

4. 应用场合

DMG6301UDW-13 的主要应用包括：

• 开关电源：该器件的快速开关特性和低电阻使其非常适合用于DC-DC转换器和其它开关电源设计。
• 电机驱动：在低功率电机驱动电路中，双 N 通道 MOSFET 的组合可以有效控制电机的正反向运转。
• 电路保护：MOSFET 的快速开关特点使其能够用在过流保护或热保护电路中，确保系统安全运行。
• 负载开关：在多种电子设备中可作为负载开关使用，有助于控制设备的开关状态。

5. 总结

DMG6301UDW-13 是一款高性能、可靠性强的双 N 通道场效应管，兼具低导通电阻和宽工作温度范围，非常适用于多种电子应用。其紧凑的 SOT-363 封装设计及较高的功率处理能力使其成为现代电子产品中不可或缺的组件。DIODES（美台）的品质保证以及丰富的应用案例让该器件在业内获得了良好的声誉。无论是对电源管理还是复杂的信号处理，DMG6301UDW-13 都是值得设计人员和工程师首选的元器件之一。