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DMN3071LFR4-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X2DFN10103
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 3.4A 1个N沟道 X2-DFN1010-3
库存 :
2701(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.582按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.582
--
200+
￥0.401
--
1500+
￥0.365
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3071LFR4-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1010-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN3071LFR4-7手册
无数据
DMN3071LFR4-7概述
DMN3071LFR4-7 产品概述
产品名称: DMN3071LFR4-7
品牌: DIODES（美台）
类型: N 通道 MOSFET
封装: X2-DFN1010-3
技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
1. 基本参数
DMN3071LFR4-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为现代电子应用设计，具备以下重要参数：
- 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 30V，能够应对较高电压环境，适合于多种电源管理和开关应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 可以持续承载高达 3.4A 的电流，为电子电路提供稳定的供电能力。
- 导通电阻 (Rds On): 在栅极电压 Vgs 为 10V 时，其最大导通电阻为 65 毫欧，确保在导通状态下具备优良的电流传导能力，降低功率损耗。
- 门阈电压 (Vgs(th)): 在 250µA 条件下，其最大阈值电压 Vgs(th) 为 2.5V，意味着该 MOSFET 能够在较低的栅极电压下有效开启，适合低电压驱动应用。
- 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs = 10V 时，门极电荷 Qg 最大为 4.5nC，这是 MOSFET 驱动所需的输入电荷量，反映了其对快速开关操作的适应能力。
2. 功率与散热
该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 500mW，使其能够有效地处理能量而不致过热。工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，这使得 DMN3071LFR4-7 能够适应多种苛刻的工作环境，包括工业、汽车和消费类电子产品。
3. 应用场景
DMN3071LFR4-7 主要目标应用包括但不限于：
- 电源管理: 用于分布式电源系统和电源转换器，确保高效的电力供应。
- 电机驱动: 在电机驱动器中，可提供良好的开关性能，优化电机控制的效率和响应。
- 开关电源: 该 MOSFET 的快速开关能力和较低的导通电阻，使其非常适合用于开关电源设计，提升整体系统效率。
- 负载开关: 在各种电子器件中用于开/关控制负载，可靠性高，具有较强的电流承载能力。
- LED驱动电路: 适用于 LED 灯光配件，确保高效驱动并减少热量生成。
4. 设计优势
- 高可靠性: DMN3071LFR4-7 采用高质量的制造工艺，确保在长时间工作中具备稳定性和可靠性。
- 小型化封装: 采用 X2-DFN1010-3 封装形式，使其在电路设计中占用更少的空间，适合于便携式和紧凑型电子设备。
- 低功耗: 由于其低导通电阻，DMN3071LFR4-7 在有效工作状态下能够显著降低功耗，有助于提升整体系统效率。
5. 结论
DMN3071LFR4-7 是一款先进的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电参数和广泛的应用适用性，成为电源管理、开关电源和负载开关领域中的理想选择。基于这一系列特性，工程师和设计师能够在众多电子应用中，实现高效、可靠的电路设计和改进。对于希望提高其电子项目性能的用户而言，DMN3071LFR4-7 是值得考虑的重要元件。