DMN3071LFR4-7R
DMN3071LFR4-7R参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1010-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN3071LFR4-7R手册
DMN3071LFR4-7R概述
产品概述：DMN3071LFR4-7R
DMN3071LFR4-7R 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），由 DIODES（美台）公司制造，具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。该器件采用先进的表面贴装技术，封装类型为 X2-DFN1010-3，能够适应现代电子设备对小型化与高效能的需求。
主要参数
漏源电压（Vdss）: DMN3071LFR4-7R 的漏源电压额定值为 30V，这使得该 MOSFET 可以在许多常见的电源管理和开关电路中使用，适用于电池供电的系统或直流电源模块。
连续漏极电流（Id）: 器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流可达 3.4A，显示出其在高负载条件下的良好性能，能够处理流经电路的较大电流。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为 65 毫欧（@ 3.2A），这意味着在开启状态下，MOSFET 能够有效地减少功率损耗，从而提高整体系统效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 器件的最大 Vgs(th) 为 2.5V（@ 250 µA），这表明该 MOSFET 在较低的栅极电压下也能迅速导通，增加了设计的灵活性。
栅极电荷（Qg）: 该器件的最大栅极电荷为 4.5nC（@ 10V），提供了对快速开关特性的支持，适合高频率应用，如 DC-DC 转换器和开关电源。
输入电容（Ciss）: 器件在 15V 下的输入电容最大为 190pF，良好的电容特性使其在快速开关操作时保持低延迟，从而提高信号完整性。
功率耗散: DMN3071LFR4-7R 的最大功率耗散为 500mW，保证了其在实际应用中的稳定性，尤其是在高温环境下运行时。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，表明其能够在极端条件下稳定工作，适用于严苛的工业或军事环境。
应用场景
DMN3071LFR4-7R 的特性使其非常适合广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器中，MOSFET 可用作开关元件，实现高效的电源管理。
- 电池管理系统: 器件能够在电池供电的设备中执行开关操作，优化能量使用效率。
- 负载开关: 可用于控制负载开关，提高功率转换元件的响应速度与效率。
- 高频应用: 得益于其低栅极电荷及快速开关能力，适合于 RF 放大器和其他高速信号处理设备。
设计优势
为了支持现代电子设备的需求，DMN3071LFR4-7R 的设计考虑了小型封装、低功损和高效率等因素，非常适合需要高能效及小型化的应用。其表面贴装形式，能够便于自动化生产，提高集成度和可靠性。
结论
综上所述，DMN3071LFR4-7R 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备多种优秀电气特性，适合于多种应用场景。无论是用于电源管理、负载开关还是在高频应用中，该器件都能提供理想的性能表现，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。