DMN3067LW-13

DMN3067LW-13 产品概述

1. 产品背景

DMN3067LW-13 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由受人尊敬的器件制造商 DIODES（美台）生产。它广泛应用于电源开关、负载驱动和信号开关等领域，因其优越的电性能和小巧的封装，适用于各种紧凑型电子设备中。

2. 基本参数

DMN3067LW-13 具有以下基本参数：

• 漏源电压 (Vdss): 该器件可以承受高达 30V 的漏极至源极电压，适合多种低电压应用。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，可以连续输出最大 2.6A 的漏极电流，保证了其在负载较重情况下的运行稳定性。
• 栅源电压 (Vgs): 最大承受 ±12V 的栅源电压，确保在逻辑电平驱动下也能稳定工作。

3. 导通电阻和电流特性

通过对不同栅源电压下的导通电阻的测量，DMN3067LW-13 显示出出色的性能：

• 在 Vgs 为 4.5V 时，导通电阻 (Rds On) 的最大值可达到 67 毫欧，这意味着在最大电流时，有效降低了功率损耗，从而提高了整体系统效率。
• 在 2.5A 的工作条件下，器件表现在 4.5V 下的导通电阻非常低，进一步减少了能量浪费。

4. 输入特性

• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1.5V（@ 250µA），这意味着在输入信号达到 1.5V 时，MOSFET 将能够开始导通，显著提高了在较低电压驱动条件下的应用灵活性。
• 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 的条件下最大栅极电荷为 4.6nC，确保切换速度快，并减少切换损耗。

5. 电容特性

• 输入电容 (Ciss): 在 10V 的条件下最大值为 447pF，影响开关速度的关键参数，适合高频应用。

6. 功率和温度特性

• 功率耗散: 最大功率耗散为 500mW（@ Ta），这使 DMN3067LW-13 能够在相对较高的功率应用中稳定运行。
• 工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，极大增强了其在各种环境条件下的可靠性。

7. 封装形式

DMN3067LW-13 采用 SOT-323 封装，体积小巧（SC-70），便于集成到高度紧凑的设计中，适合便携式电子设备、消费电子产品、工业自动化设备等。

8. 应用场景

由于其卓越的电性能和广泛的工作温度范围，DMN3067LW-13 可以被广泛用于多个领域，包括但不限于：

• DC-DC 转换器
• 电源管理电路
• 低压马达驱动
• LED 驱动电路
• 开关电源

9. 总结

DMN3067LW-13 是一款理想的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、广泛的温度范围和紧凑的封装，使其成为各种电子应用中的理想选择。其能够在高功率和高温环境下良好运作，满足未来电子产品对高性能、低功耗和小型化的需求。对于需要高效能开关和负载驱动的应用，DMN3067LW-13 是您值得信赖的选择。