DMG1016UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7参数
| 功率(Pd) | 330mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6.36pF@16V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@4.5V,845mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 622.4nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 59.76pF@16V | 连续漏极电流(Id) | 845mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMG1016UDWQ-7手册
DMG1016UDWQ-7概述
DMG1016UDWQ-7 产品概述
概述
DMG1016UDWQ-7 是由美台（Diodes）公司生产的一款高效能MOSFET（场效应管），它包含一个N沟道和一个P沟道的MOSFET，采用紧凑的SOT-363封装。该元件的设计使其非常适合低功耗和高频率应用，特别是在开关电源、低压电源管理和其他需要高效率和良好热管理的电路中。
技术参数
- 功率额定值: 330mW
- 最大漏源电压 (V_DS): 20V
- 最大漏电流 (I_D): 845mA
- 脉冲电流 (I_DM): 1.066A
- 封装类型: SOT-363
DMG1016UDWQ-7元件的最大额定电压为20V，这使它适用于许多现代电子设备中的电源管理和信号切换应用。该器件配备的845mA最大漏电流确保了其在各种应用中的广泛兼容性。
应用场景
DMG1016UDWQ-7的应用范围极为广泛。考虑到其出色的性能，该元件特别适用于以下场合：
开关电源: 在开关电源设计中，能够实现高效率的MOSFET非常关键。DMG1016UDWQ-7提供的低R_DS(on)确保在开启状态下的低导通损耗，提升整体能效。
电源管理系统 (PMIC): 该MOSFET非常适合用于各种电源管理集成电路，支持电池供电设备的高效能量转化和系统保护。
DC-DC转换器: 无论是升压还是降压，DMG1016UDWQ-7均可在转换过程中提供稳定的性能，保证持续的有效输出。
负载开关: 由于其紧凑的封装和高功率处理能力，使得DMG1016UDWQ-7非常适合用于移动设备和消费电子产品的负载开关。
电气特性
DMG1016UDWQ-7的电气特性使其在实现高效率的同时，也保持了较低的功耗。在动态切换状态下，低的输入电容和快速的开关速度可以减小开关损耗，从而提升整体电源效率。
低导通电阻 (R_DS(on)): 该参数对于MOSFET来说至关重要，降低导通电阻可以有效提高电流通过时的效率，减少发热，从而提高可靠性和耐用性。
优越的热性能: SOT-363封装能够有效地散热，确保器件在高功率条件下依然稳定。
竞争优势
与市场上同类产品相比，DMG1016UDWQ-7的优势在于其合理的功率额定值和可靠的性能稳定性。它不仅能够支持更高的工作电流和电压，同时由于SOT-363封装的设计，更加适合空间有限的应用场景。
结论
DMG1016UDWQ-7是一个极具市场竞争力的MOSFET器件，结合其高效率、低功率损耗和优越的热特性，适用于现代电子产品各种应用，从消费电子到工业设备。其N沟道和P沟道的组合设计充分发挥了场效应管的优势，提供了高度的灵活性和可设计性，是设计工程师的理想选择。无论是在高频开关应用还是在电源管理系统中，DMG1016UDWQ-7都能展现出卓越的性能，满足不同用户的需求。