DMN2040UVT-13
DMN2040UVT-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 667pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMN2040UVT-13手册
DMN2040UVT-13概述
DMN2040UVT-13 产品概述
1. 产品简介
DMN2040UVT-13 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计目标是满足各种低电压应用的需求。这款MOSFET采用TSOT-26封装，提供出色的温度和功率性能，是电子设备中理想的开关元件和放大器元件。其额定漏源电压为20V，连续漏电流达到6.7A，使其能够支持多种应用，包括电源管理、马达驱动和负载开关等。
2. 基本参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 6.7A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压: 支持2.5V和4.5V的栅极驱动电压
- 导通电阻（Rds On）: 在6.2A和4.5V的条件下，最大值为24毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为7.5nC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为667pF @ 10V
- 功率耗散: 最大值为1.2W（在25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 封装类型: TSOT-26
3. 关键特点
DMN2040UVT-13的设计集成了多项先进技术使其在多个方面表现出色：
低导通电阻: 该MOSFET在工作时表现出极低的导通电阻，这将显著减少在导通状态下的功率损耗，从而增大整体能效，降低发热。
广泛的工作温度范围: 其可在-55°C至150°C的温度范围内安全运行，使DMN2040UVT-13非常适合航空航天、汽车以及工业应用中的恶劣环境。
小型化封装: TSOT-26封装设计使得该元件能够轻松集成到各种紧凑型电路板设计中，适合空间受限的应用。
高效的栅极驱动: 该MOSFET在2.5V和4.5V下仍然能够保持稳定的导通性能，适用于低电压驱动设计，特别适合于便携式设备和移动应用。
4. 应用场景
DMN2040UVT-13适用于多种电子应用，包括但不限于：
电源管理: 适用于DC-DC转换器、线性调节器以及从主电源到负载的开关电源设计，能够有效提高转换效率。
马达驱动: 可用于电动车辆、伺服电机及其他类型电机的驱动电路，提供高效、高频率的开关控制。
负载开关: 该MOSFET被广泛应用于各类负载开关的设计中，帮助降低功耗和提升系统可靠性。
消费电子: 在越来越复杂的消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式设备，在电源管理和保护电路中都能找到DMN2040UVT-13的身影。
5. 总结
DMN2040UVT-13是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，具有广泛的应用前景和出色的性能特征。作为DIODES（美台）推出的优质产品，它不仅能够满足现代电子设备的多种需求，还能以其紧凑的封装、低功耗和高性能特性，使得设计工程师在多样化应用环境中提供最佳解决方案。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，DMN2040UVT-13都将是您优质的选择。