FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A(Ta),3.3A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 15V,254pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
产品简介
DMC3071LVT-7是一款由DIODES(美台)公司出品的高性能互补型场效应管(MOSFET),专为需要高效能和低导通阻抗的应用场合而设计。该器件采用TSOT-26封装,具有优异的热性能和电气特性,能够在较高温度和电压范围内稳定工作。其适用于多种电子电路,包括功率转换、开关电源、负载驱动和其他需要高频开关的应用。
基本参数
DMC3071LVT-7包括N沟道和P沟道互补型MOSFET,具有以下关键参数:
电气特性
DMC3071LVT-7具有较低的栅极电荷(Qg),在10V驱动下,N沟道的Qg最大为4.5nC,而P沟道为6.5nC。这一特性使得其在高频应用中具备更快的开关速度,降低了开关损耗。此外,输入电容(Ciss)在15V下,N沟道最大为190pF,P沟道为254pF,为设计人员提供了更大的灵活性和优良的响应特性。
功率与温度
该器件的最大功率为700mW,适用于要求高功率处理能力的场合。工作温度范围极为宽广,从-55°C到150°C(TJ)保证了器件在各种严苛环境下的可靠性和稳定性。无论是极端高温还是低温应用,DMC3071LVT-7都能提供高效的性能表现。
应用场景
DMC3071LVT-7主要适用于以下场景:
结论
DMC3071LVT-7是一款功能全面的MOSFET产品,凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围、快速的开关特性和优异的稳态性能,成为各种电子设备的理想选择。设计工程师在选择MOSFET时,可适从其可靠性、效率和性能,判断其是否适合特定的应用场合。此外,优质的表面贴装型封装(TSOT-26)使得该器件易于集成到现代电子设备中,提高了生产效率并降低了空间占用。