DMC3071LVT-7 产品实物图片
DMC3071LVT-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMC3071LVT-7

商品编码: BM0084328015
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 30V 3.3A;4.6A 1个N沟道+1个P沟道 SOT-26
库存 :
708(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.81
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.81
--
200+
¥0.558
--
1500+
¥0.507
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC3071LVT-7参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.6A(Ta),3.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)190pF @ 15V,254pF @ 15V
功率 - 最大值700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装TSOT-26

DMC3071LVT-7手册

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DMC3071LVT-7概述

DMC3071LVT-7 产品概述

产品简介

DMC3071LVT-7是一款由DIODES(美台)公司出品的高性能互补型场效应管(MOSFET),专为需要高效能和低导通阻抗的应用场合而设计。该器件采用TSOT-26封装,具有优异的热性能和电气特性,能够在较高温度和电压范围内稳定工作。其适用于多种电子电路,包括功率转换、开关电源、负载驱动和其他需要高频开关的应用。

基本参数

DMC3071LVT-7包括N沟道和P沟道互补型MOSFET,具有以下关键参数:

  • 漏源电压(Vdss):30V,适用于低至中等电压应用。
  • 连续漏极电流(Id):在环境温度25°C时,N沟道的连续漏极电流可达4.6A,而P沟道则为3.3A,确保在不同负载条件下的优异性能。
  • 最大导通电阻(Rds(on)):在3.5A和10V的条件下,N沟道的最大导通电阻为50毫欧,而在3.8A和10V下则为95毫欧,提供低损耗特性,有助于提高整体效率。
  • 门源阈值电压(Vgs(th)):在250µA下最大值为2.5V,使其在各种驱动条件下具有较好的开关性能。

电气特性

DMC3071LVT-7具有较低的栅极电荷(Qg),在10V驱动下,N沟道的Qg最大为4.5nC,而P沟道为6.5nC。这一特性使得其在高频应用中具备更快的开关速度,降低了开关损耗。此外,输入电容(Ciss)在15V下,N沟道最大为190pF,P沟道为254pF,为设计人员提供了更大的灵活性和优良的响应特性。

功率与温度

该器件的最大功率为700mW,适用于要求高功率处理能力的场合。工作温度范围极为宽广,从-55°C到150°C(TJ)保证了器件在各种严苛环境下的可靠性和稳定性。无论是极端高温还是低温应用,DMC3071LVT-7都能提供高效的性能表现。

应用场景

DMC3071LVT-7主要适用于以下场景:

  1. 开关电源:可作为高效开关器件,在恒流和恒压模式下支持高频开关操作。
  2. 负载驱动:适用于驱动电机、灯光等各种负载,能够有效控制启动和运行时的能量损耗。
  3. 电源管理:在电源管理应用中,作为开关和稳压器件,优化电能利用效率。
  4. 功率转换:在DC-DC转换器和逆变器等电路中,DMC3071LVT-7能够助力实现高能效和低热量排放。

结论

DMC3071LVT-7是一款功能全面的MOSFET产品,凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围、快速的开关特性和优异的稳态性能,成为各种电子设备的理想选择。设计工程师在选择MOSFET时,可适从其可靠性、效率和性能,判断其是否适合特定的应用场合。此外,优质的表面贴装型封装(TSOT-26)使得该器件易于集成到现代电子设备中,提高了生产效率并降低了空间占用。