二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 525mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 30V |
不同 Vr、F 时电容 | 40pF @ 4V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 2-XDFN | 供应商器件封装 | X3-WLB1006-2 |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
SDM1A30CSP-7 是一款高性能的肖特基二极管,专为需要快速响应和低电压正向降落的应用而设计。该器件的最大反向电压为30V,能够处理的平均整流电流为1A,使其在多种电子电路中成为理想的选择。凭借其紧凑的表面贴装外形和宽广的工作温度范围,SDM1A30CSP-7 可广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子领域。
肖特基二极管类型: SDM1A30CSP-7 使用肖特基结构,具有较低的正向电压降,最大值为525mV(在1A的条件下)。这使得该二极管在电源管理和信号整流应用中非常高效时,显著降低系统的热量损失。
电气参数:
快速恢复特性: SDM1A30CSP-7 具有快速恢复时间,最大恢复时间小于500ns,同时在高达200mA的条件下保持其快速特性。这使得该元器件在高频率的开关电源及其他高速切换的应用场景下表现出色。
工作温度范围: 该器件的温度范围从-55°C 到 150°C,适用于极限环境条件。无论是在极寒的气候条件下还是高温的工业环境下,这款肖特基二极管都有良好的工作表现。
安装方式和封装: SDM1A30CSP-7 采用表面贴装型设计,封装为2-XDFN (X3-WLB1006-2),其小巧的封装使其适合现代紧凑型电路设计,极大地提升了电路板的集成度。
SDM1A30CSP-7 是一款综合性能优越的肖特基二极管,其低正向电压降、低反向泄漏电流、快速恢复特性及宽工作温度范围使其适合于多种电子应用。这款元器件能够为用户提供高效、可靠的解决方案,是现代电子设计不可或缺的重要组成部分。无论是在频繁切换的开关电源,还是在要求高性能的汽车电子中,SDM1A30CSP-7 都能展现其卓越的性能表现。