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DMN10H220LQ-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
6422(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.69按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.69
--
100+
￥0.477
--
500+
￥0.433
--
2500+
￥0.401
--
5000+
￥0.375
--
10000+
￥0.35
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN10H220LQ-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 401pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN10H220LQ-13手册
无数据
DMN10H220LQ-13概述
DMN10H220LQ-13 产品概述
DMN10H220LQ-13 是一款高性能的N通道MOSFET场效应管，广泛应用于各种电子电路中。作为DIODES（美台）品牌的一部分，该元件以其优越的电气特性和可靠的性能而受到广泛认可。它的主要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 高达100V，确保在各种应用场景中可靠工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，最大允许电流为1.6A，这使其适用于低功率驱动和开关应用。
- 导通电阻（Rds On）: 当电压为10V且电流为1.6A时，Rds On的最大值为220毫欧，保证了在工作时的低功耗和高效率。
- 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）: 典型值为2.5V（在250µA时测量），为用户提供了灵活的驱动电压选择，以优化控制电路和功率管理。
- 驱动电压: MOSFET在4.5V至10V的驱动电压下表现良好，适用于多种驱动电路设计。
此外，DMN10H220LQ-13 具有非常优异的输入电容特性，输入电容（Ciss）在25V时的最大值为401pF，适合于高速切换应用，这种特性对于提升开关效率和降低开关损耗至关重要。该MOSFET的栅极电荷（Qg）在10V时的最大值为8.3nC，意味着其在开关频率较高时也能保持较低的驱动功耗。
应用领域
DMN10H220LQ-13 由于其强大的电气特性和广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），非常适合用作建筑如下领域:
- 开关电源: 在电源转换中，DMN10H220LQ-13可作为主要的开关元件。
- DC-DC转换器: 其高效的开关能力使其成为DC-DC转换器中理想的选择，有助于提升系统整体效率。
- 电机驱动: 包括PWM控制的电机驱动应用，它在高频开关情况下可提供高效能。
- 便携式电子设备: 由于其小巧的SOT-23-3封装，适合用于空间受限的便携式设备。
封装和安装
DMN10H220LQ-13 采用SOT-23-3封装，其小型化设计有助于在高密度电路布局中实现优秀的散热性能与集成度。该表面贴装型（SMD）元件便于自动化生产和安装，广泛应用于现代电子产品制造。
结论
综上所述，DMN10H220LQ-13 是一款可靠、高效且多功能的N通道MOSFET场效应管，适用于多种电源管理和开关应用。无论是在电子设计、开关电源以及低功耗电路中，它都展现了卓越的性能和可操作性。选择DMN10H220LQ-13，可为用户带来更高的设计灵活性和系统效率，是电子工程师的理想选择。