DMP3068LVT-13
DMP3068LVT-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 708pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP3068LVT-13手册
DMP3068LVT-13概述
产品概述：DMP3068LVT-13
DMP3068LVT-13是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低电压、高效率的电源管理和开关应用而设计。这款MOSFET的漏源电压（Vdss）为30V，支持高达2.8A的连续漏极电流（Id），非常适合用于需要高导通能力和低开关损耗的电路设计。
主要特点
高导电性与低导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻（Rds On）仅为75毫欧，在高达4.2A的工作条件下表现出色。这一特性可显著降低功耗，提高系统的能效。
宽工作温度范围：DMP3068LVT-13的工作温度范围广泛，能够在-55°C至150°C的极端环境中稳定运行，使其适用性极强，适合于各种工业和汽车应用。
高栅极电压操作：该MOSFET的栅极最大驱动电压（Vgs）可达到±12V，提供灵活的驱动选项。其阈值电压（Vgs(th)）在1.3V处@250µA，保证了在较低电压下便能够有效开启。
优良的开关性能：在15V的工作条件下，器件的输入电容（Ciss）最大值为708pF，结合7.3nC的栅极电荷（Qg），确保快速开关，并降低了开关损耗，使其在高频率开关应用中更加高效。
小巧的封装设计：DMP3068LVT-13采用TSOT-26封装，体积小巧，便于在限制空间内实现高效的电路设计。这种表面贴装型设计也使得该器件更易于集成到各种电路板中，适合现代电子设备的需求。
应用领域
DMP3068LVT-13适用于各种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关元件，广泛应用于DC-DC转换器、线性稳压器和其他电源管理电路中。
- 电动汽车：高效的开关能力和宽广的温度适应性使其成为电动汽车控制系统、充电器中的理想选择。
- 工业控制：在自动化设备、工业机器人和电机驱动等场合中，该MOSFET能够提供稳定的性能和高效率。
- 消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统中，为设备提供高效、可靠的电源切换。
性能规格总结
- FET类型：P沟道
- 技术类型：MOSFET（绝缘体上半导体）
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 最大连续漏极电流 (Id)：2.8A（在25°C时）
- 最大导通电阻 (Rds On)：75毫欧 @ 4.2A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大1.3V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：7.3nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)：708pF @ 15V
- 功率耗散：最大1.25W（在25°C时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：TSOT-26
结论
DMP3068LVT-13作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET，凭借其出色的电气性能和宽广的应用范围，能够满足各类电源管理和开关需求。对于设计师而言，这款元件将为电路设计带来更高的灵活性和更好的性能，特别是在小型化和高效率的现代电子产品中。无论是在复杂的工业设备，还是在日常使用的消费电子中，DMP3068LVT-13都能为系统提供卓越的解决方案。