FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.4nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 515pF @ 6V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN1014UFDF-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能N沟道MOSFET,专为中低功率应用设计。其主要特点包括较低的导通电阻、高速开关能力,以及良好的热性能。适用于各种电源管理、开关电源、马达驱动及高频电路等应用场景。
DMN1014UFDF-13的核心参数包括:
该MOSFET采用表面贴装型封装,型号为U-DFN2020-6(F类),其裸露焊盘设计便于在PCB板上进行焊接。该封装不仅紧凑,还有助于降低寄生电容和电感,从而改善高频响应性。其结构设计也确保了在高功率应用下的热管理性能,这对于延长器件的使用寿命至关重要。
DMN1014UFDF-13适用于多个领域的应用,主要包括:
DMN1014UFDF-13是一款采用现代设计理念和高性能材料的N通道MOSFET,凭借其优越的电气性能和热性能,成为多种电源管理及驱动应用的理想选择。适用于对功率、效率和可靠性有较高要求的现代电子设计,能够有效满足客户的多样化需求。在电源转换和电机控制领域的应用前景广阔,是工程师设计高效电路时的重要考虑元件。