DMN1014UFDF-13 产品实物图片
DMN1014UFDF-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN1014UFDF-13

商品编码: BM0084327999
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 12V 8A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
10000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.892
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.892
--
100+
¥0.615
--
500+
¥0.559
--
2500+
¥0.518
--
5000+
¥0.484
--
10000+
¥0.452
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN1014UFDF-13参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)12V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)515pF @ 6V
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

DMN1014UFDF-13手册

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DMN1014UFDF-13概述

DMN1014UFDF-13 产品概述

一、产品简介

DMN1014UFDF-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能N沟道MOSFET,专为中低功率应用设计。其主要特点包括较低的导通电阻、高速开关能力,以及良好的热性能。适用于各种电源管理、开关电源、马达驱动及高频电路等应用场景。

二、基本参数

DMN1014UFDF-13的核心参数包括:

  • FET 类型:N通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):最大12V
  • 最大连续漏极电流(Id):8A(在25°C环境中)
  • 驱动电压:能够在2.5V至4.5V下实现最佳性能
  • 最大导通电阻(Rds On):在4.5V、2A条件下,最大值为16毫欧,这提供了优良的电流传导能力。
  • 开关特性:在Vgs(th)(最高1V @ 250µA)下,MOSFET能够实现快速导通和关断。

三、结构与材料

该MOSFET采用表面贴装型封装,型号为U-DFN2020-6(F类),其裸露焊盘设计便于在PCB板上进行焊接。该封装不仅紧凑,还有助于降低寄生电容和电感,从而改善高频响应性。其结构设计也确保了在高功率应用下的热管理性能,这对于延长器件的使用寿命至关重要。

四、性能特点

  1. 低导通电阻:DMN1014UFDF-13 的最低Rds On使其在开关电源和电机控制等应用中具有较低的功耗和更高的效率。
  2. 广泛的工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,使其在严苛环境下的应用表现稳定。
  3. 快速开关特性:栅极电荷(Qg)的最大值为6.4nC @ 4.5V,说明其在高频开关应用中具备良好的性能,能够有效降低开关损耗。
  4. 小型化设计:U-DFN2020-6封装进一步提高了系统的小型化,同时提供了良好的热导性能,适合于空间受限制的应用场景。

五、应用领域

DMN1014UFDF-13适用于多个领域的应用,主要包括:

  • 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源电路。
  • 马达驱动:在无刷直流电动机(BLDC)驱动中,实现高效能的开关控制。
  • 电池管理系统:可用于锂电池的充电和放电管理,提高系统的安全性和效率。
  • 通信设备:在基站和路由器中的供电系统中,提供高效电源转换。

六、总结

DMN1014UFDF-13是一款采用现代设计理念和高性能材料的N通道MOSFET,凭借其优越的电气性能和热性能,成为多种电源管理及驱动应用的理想选择。适用于对功率、效率和可靠性有较高要求的现代电子设计,能够有效满足客户的多样化需求。在电源转换和电机控制领域的应用前景广阔,是工程师设计高效电路时的重要考虑元件。