功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 51pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.5nC@8V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 803pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
DMP2037U-7是一款由DIODES(美台)公司推出的P沟道MOSFET(场效应管)。其封装采用了广泛应用的SOT-23封装,适用于多种电子电路设计。这款MOSFET的最大功率额定值为800mW,能够承受最高20V的工作电压,并在最大持续电流条件下提供6.1A的导通电流,使其在低压和中功率应用中表现出良好的性能。
高效性能:DMP2037U-7的设计使其能够在低电压下实现高达6.1A的电流输出。其低导通电阻为应用提供了优异的导电性,减少了功耗并提升了热管理能力。
宽电压范围:该MOSFET的最大工作电压为20V,能够应对多种电源电路,尤其适合在电压变化较大的环境中使用。
集成度高:SOT-23封装的优势在于其空间占用小,适合现代小型化和集成电路的需求,使其能够用于便携式设备中。
优良的开关特性:DMP2037U-7具有优异的开关特性,使其能够在高频下有效工作,对于频繁开关的应用场景非常合适。
DMP2037U-7广泛应用于多种电子设计领域,包括但不限于:
通过选择DMP2037U-7,设计工程师能够享受到以下优势:
DMP2037U-7是一款性能卓越的P沟道MOSFET,其800mW的功率承受能力和20V的电压评级,使其成为多种电源管理与负载驱动应用的理想选择。凭借高效的开关性能、紧凑的封装以及广泛的应用领域,该MOSFET不仅能够提升产品的核心性能,还能帮助工程师实现更灵活的设计方案。无论是在消费电子还是工业设备中,DMP2037U-7都是高效能、可靠性与经济性的出色平衡。