DMT6015LPS-13
DMT6015LPS-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.6A（Ta），31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±16V |
| 功率耗散（最大值） | 1.16W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1103pF @ 30V |
DMT6015LPS-13手册
DMT6015LPS-13概述
DMT6015LPS-13 产品概述
概述
DMT6015LPS-13是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装，具有出色的电气特性和热管理性能，广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET专为需要高速度和低导通电阻的应用而设计，是理想的开关元件，适合用于直流-直流变换器、电机驱动、LED驱动和其他高效能电源管理任务。
特点与优势
高电流处理能力: DMT6015LPS-13在25°C环境温度下的连续漏极电流为10.6A，而在最高结温下可达到31A，这使得它能在高功率应用中提供卓越的性能。
低导通电阻: 该MOSFET的导通电阻在10A，10V的条件下最大可达仅16毫欧，这一特性极大地提高了系统的整体效率，降低了热量产生，进而提升了系统的可靠性和能量利用率。
宽温工作范围: 工作温度范围为-55°C至150°C，确保在各种极端工作环境中都能稳定运行，适合于军工、汽车及工业控制等严苛应用。
适应性强: 该器件支持±16V的栅源电压和最大60V的漏源电压，能够满足多种电路设计需求。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.5V @ 250µA，从而保证了在较低驱动电压下的良好开关性能。
出色的热管理性能: 采用PowerDI5060-8封装，不仅有助于实现低的热阻，还可以在较小的空间内有效管理发热问题。这使得DMT6015LPS-13成为紧凑型设计的理想选择。
应用场景
DMT6015LPS-13广泛应用于多个领域，具体应用场景包括：
电源管理: 适用于开关电源(如AC-DC和DC-DC变换器)，能够降低能量损耗，提升电源转换效率。
电机驱动: 在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中应用，可作为主要开关元件，提供高效率和快速响应。
LED驱动: 在LED灯具和照明设备中，使用DMT6015LPS-13可以提高整体光效和可靠性，延长使用寿命。
汽车电子: 在电动汽车和混合动力汽车中，作为电源管理和驱动电路的重要组成部分，提升能源利用效率。
工业自动化: 在各种工业自动化设备和控制器中，可作为关键的开关元件，以提高系统的响应速度和可靠性。
结论
DMT6015LPS-13是一款出色的N沟道MOSFET，具备优异的电气性能和广泛的应用潜力。其低导通电阻、高电流能力以及宽工作温度范围使其在多个领域中展现出强大的竞争力。选择DMT6015LPS-13，不仅可以提升产品的工作效率，还能大幅度提高系统的可靠性和稳定性，为各种高要求的电力电子应用提供了良好的解决方案。