SIA928DJ-T1-GE3

SIA928DJ-T1-GE3 产品概述

SIA928DJ-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N-通道 MOSFET 阵列，封装类型为 PowerPAK® SC-70-6 双，这种组件广泛应用于各种电子电路中，尤其适合对空间和能效要求较高的场合。其卓越的电气性能、极小的封装及优秀的热管理能力使其成为电子设计中的理想选择。

基本参数

SIA928DJ-T1-GE3 的最大漏源电压（Vdss）为 30V，使其能够应对多种低压应用场景。其连续漏极电流（Id）最高可达 4.5A（在 Tc = 25°C 时），同时，最大功率承载能力为 7.8W，确保在高负载条件下设备的可靠性和稳定性。

该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在 5A、10V 时最大值仅为 25 毫欧，体现出其在高效能下的低功耗特性，这使其在开关电源、DC-DC 转换器等应用中受到广泛欢迎。低导通电阻可以有效降低在导通状态下的能量损失，进而提高系统的整体效率。

电气性能

SIA928DJ-T1-GE3 的输入电容（Ciss）在 15V 时最大值为 490pF，反映了其在高速开关应用中的良好性能。与此同时，栅极电荷（Qg）的最大值为 4.5nC（在 4.5V 时），这说明该组件对于驱动电路的要求较低，便于实现高频率的开关操作，有助于提升电路的整体响应速度。

栅源阈值电压（Vgs(th)）在 250μA 时的最大值为 2.2V，能够确保MOSFET在低电压驱动情况下的开关控制。无论是在移动设备、类似智能手机的应用，还是在工业控制系统中，SIA928DJ-T1-GE3 都能够轻松适应不同的驱动电压，实现快速开关。

工作环境

该元器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其在恶劣环境下也能稳定运行。无论是在极端寒冷或高温的条件下都能保证良好的性能，这使得 SIA928DJ-T1-GE3 特别适合用于汽车、航空航天等领域的高可靠性应用。

封装及安装

SIA928DJ-T1-GE3 使用的 PowerPAK® SC-70-6 双封装设计，不仅有效降低了产品尺寸，使其更适合空间有限的应用，还提供了优秀的散热性能，以应对高功率密度的需求。表面贴装型的安装方式使元器件可以方便地集成于现代电子电路板中，与其他元件共用更小的空间。

应用场景

基于其广泛的电气特性和高可靠性，SIA928DJ-T1-GE3 被广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子、消费电子等领域。尤其是在需要高频开关和高效率转换的场合，如DC/DC转换、LED驱动电路等，都是其发挥优势的理想场所。同时，其高温运行能力也确保了在一些特殊行业（如军事、航空等）中的适用性。

总结

总之，SIA928DJ-T1-GE3 是一款集高电流承载能力、低导通电阻与优异的工作温度范围于一体的 N-通道 MOSFET。凭借其小巧的封装和出色的电气性能，该产品已成为现代电子设计中的重要元件，为高效、稳定的电源管理解决方案提供了强有力的支持。随着科技进步和对能效的更高要求，SIA928DJ-T1-GE3 的应用前景将更加广阔。