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SISS71DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 57W 100V 23A 1个P沟道 PowerPAK1212-8S
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.7按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.7
--
100+
￥5.58
--
750+
￥5.18
--
1500+
￥4.93
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SISS71DN-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
SISS71DN-T1-GE3手册
无数据
SISS71DN-T1-GE3概述
SISS71DN-T1-GE3 产品概述
产品简介
SISS71DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件供应商 VISHAY（威世）生产。此产品具有优越的电气特性，特别适用于高电压和高电流的电源管理和切换应用。设计适应性广，尤其在开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种消费电子产品中表现优秀。
关键参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 23A（在 Tc=25°C 时）
- 驱动电压（Vgs）: 4.5V 至 10V
- 最大导通电阻（Rds(On)）: 59 毫欧 @ 5A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 2.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大 15nC @ 4.5V
- 最大输入电容（Ciss）: 1050pF @ 50V
- 功率耗散（Pd）: 最大 57W（在 Tc 计算下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3mm）
特性与优势
高效转换: SISS71DN-T1-GE3 的设计使其在高电流运行下仍能保持低导通电阻，这意味着在工作过程中会产生较低的热量，提高能效和系统的散热能力。
宽工作范围: 工作温度范围广泛，可以在-55°C到150°C的极端环境中稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用。
紧凑型封装: PowerPAK® 1212-8S 封装设计使其适合表面贴装，这对空间有限的电路板设计非常重要，有助于减小整体系统的尺寸。
良好的驱动特性: 操作在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压下，能够确保高效的开关能力，并能快速响应，从而提高系统的整体性能。
完善的保护机制: 该 MOSFET具备优良的电压和电流限制能力，在过载和短路情况下，能够有效保护电路，提高产品的可靠性。
应用场景
SISS71DN-T1-GE3 适用于多个领域的应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 用于降低功率损耗，提高转换效率。
- 直流-直流转换器: 在电池驱动设备中，以增强电源管理功能。
- 电机驱动: 在步进电机或无刷电机驱动电路中，确保流畅的控制和高效的性能。
- 消费电子产品: 适用于智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，提高工作效率和延长电池寿命。
总结
作为一款高效、可靠和精密的 P 通道 MOSFET，SISS71DN-T1-GE3 为现代高性能电子产品提供了优质的解决方案。凭借其卓越的电气特性、紧凑却功能强大的封装以及广泛的应用范围，使其成为设计工程师的理想选择。无论是在极端环境下的工厂自动化还是在日常消费电子产品中，SISS71DN-T1-GE3 都能提供可靠的性能，是各类电力电子设计的理想元件。