DMP3036SFG-7
DMP3036SFG-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1931pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 950mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3036SFG-7手册
DMP3036SFG-7概述
DMP3036SFG-7 产品概述
DMP3036SFG-7是一款由DIODES（美台）公司推出的高性能P沟道MOSFET场效应管，专为需要高效能和高可靠性的电源管理和开关应用而设计。凭借其出色的电流处理能力和低导通电阻，DMP3036SFG-7适用于各种电子设备中的功率调节与控制，尤其是在电源转换、负载开关及电机驱动等领域取得了广泛应用。
主要特性
技术规格：DMP3036SFG-7作为MOSFET器件，其漏源电压（Vds）最大可达30V，提供了足够的电压承载能力，适应频繁变化的电源环境。
电流能力：在25°C的环境温度下，DMP3036SFG-7的连续漏极电流（Id）可达到8.7A，这使得该MOSFET能够应对高负载应用。其高电流输出能力使其非常适合用于电机驱动、DC-DC转换器等需要高电流支持的场合。
导通电阻：在Vgs为10V的条件下，当Id为8A时，DMP3036SFG-7的最大导通电阻（Rds(on)）低至20毫欧。这一特性对于降低整体功耗和提升效率至关重要，尤其是在高频率开关应用中，低导通电阻有效减少了热量的产生和功率损耗。
栅极驱动：该MOSFET的驱动电压范围为5V至10V，Vgs(th)（栅源阈值电压）最大为2.5V，典型情况下能在较低的栅极电压下启动。这使得DMP3036SFG-7在需要快速开关响应的应用中表现优异，并显著提高了系统的工作效率。
输入电容：DMP3036SFG-7的输入电容（Ciss）在15V下最大为1931pF，提供良好的效率和响应速度。这一参数在高频应用中至关重要，有助于快速切换状态，从而减少开关损耗。
功率耗散与散热：DMP3036SFG-7的最大功率耗散为950mW。其高功率散发能力保证了该器件在实际应用中的稳定性，能够在宽广的温度范围内工作（-55°C至150°C），确保了其在严苛环境下的可靠性。
封装设计：该器件采用8-PowerVDFN的表面贴装封装（PowerDI3333-8），这保证了良好的散热性能和紧凑的PCB布局设计，使其适合于小型化设计需求。
应用领域
DMP3036SFG-7广泛应用于多种电子设备和系统中，如：
- 电源管理：高效的DC-DC转换器和线性稳压器中，DMP3036SFG-7能够有效调节电流输出，实现高效能的电源转换。
- 开关电源（SMPS）：其和低导通电阻的特性使其适用于开关电源中，能够降低能量损失，提高整体系统效率。
- 电机驱动：尤其是在小型电机驱动系统中，DMP3036SFG-7提供了优秀的开关性能和电流管理能力。
- 负载开关：在负载开关应用中，该MOSFET能够准确控制电源的开启与关闭，提供灵活的电源管理方案。
总结
总体来看，DMP3036SFG-7是一款高效能的P沟道MOSFET，其出色的电气性能和宽广的应用范围使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。无论是在电源管理、开关电源设计还是电机驱动系统中，DMP3036SFG-7均能提供卓越的表现，为电子设备的高效能和高可靠性打下坚实基础。