SI7117DN-T1-GE3
SI7117DN-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7117DN-T1-GE3手册
SI7117DN-T1-GE3概述
SI7117DN-T1-GE3 产品概述
引言
SI7117DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），由知名电子元件供应商 VISHAY（威世）推出。该器件采用 TrenchFET® 技术，专为满足高压、高效率和高频应用需求而设计。它的额定漏源电压为150V，最大连续漏极电流为2.17A，具有优良的导通特性和低功耗特性，是现代电源管理、电动汽车、快充和大功率电源等领域的理想选择。
基本参数
器件类型: P-MOSFET
- SI7117DN-T1-GE3 属于 P 通道 MOSFET，这种类型的场效应晶体管具有更高效的开关特性，适用于反向电流应用。
技术: MOSFET（TrenchFET® 技术）
- TrenchFET® 技术作为 VISHAY 的一项核心技术，利用创新的半导体结构设计，降低了导通电阻（Rds On），从而提高了器件的效率和可靠性。
电气特性:
- 漏源电压（Vdss）: 150V
- 最大连续漏极电流（Id）: 2.17A（在 Tc 的环境条件下）
- 驱动电压: 6V（最小），10V（最大）
- 导通电阻（Rds On）: 1.2Ω 在 Id 为500mA和Vgs为10V时
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4.5V（在250µA时）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为12nC（在10V的驱动条件下）
工作温度范围:
- -55°C 到 150°C，适应各种恶劣环境，确保设备的稳定运行。
功率性能:
- 功率耗散: 最大值为3.2W（在 Ta 条件下），12.5W（在 Tc 条件下），适用于复杂和高负载的应用场景。
封装和尺寸:
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8，具有优秀的散热性能和小尺寸，适合表面贴装工艺。
应用场景
SI7117DN-T1-GE3 完美契合多个高要求的应用，尤其是在以下领域表现突出：
电源管理: 这一 MOSFET 可被广泛应用于电源转换器、DC-DC 变换器、开关电源等设备中，通过其低导通电阻和高电流承载能力，降低功耗并提高系统效率。
电动汽车: 在电动车辆中，SI7117DN-T1-GE3 作为高压开关元件，可以有效控制电动车的电动机，从而提高电动机的启动和运行效率。
快充技术: 随着快充技术的普及，SI7117DN-T1-GE3 可以用于充电桩和快充装置，有效提升充电速度的同时，保障充电安全。
大功率电源: 该 MOSFET 可以在大功率电源模块中作为主开关或辅助开关，提高系统的稳压和电流管理能力。
总结
SI7117DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，广泛应用于电源管理、电动汽车和快充设备等多个领域。凭借 VISHAY 品牌的先进技术和可靠性，该 MOSFET 是现代工程师在设计高效能设备时的重要选择。随着科技的不断进步，SI7117DN-T1-GE3 将为各种创新应用提供坚实的支持。