SI2367DS-T1-GE3
SI2367DS-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 66 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 561pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2367DS-T1-GE3手册
SI2367DS-T1-GE3概述
产品概述：SI2367DS-T1-GE3 MOSFET
基础信息
SI2367DS-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）公司制造的高性能 P 沟道 MOSFET，封装类型为 SOT-23-3（TO-236），广泛应用于各种电子电路设计中。该器件具有出色的电气特性和耐用性，非常适合在有限的空间中实现高效电源管理与开关控制。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的漏极与源极之间的最大电压为 20V，能够适应大部分低压电源电路的需求。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，SI2367DS-T1-GE3 支持最大 3.8A 的连续漏极电流（Tc ），使其能有效应对高负载情况。
栅源驱动电压（Vgs）: 器件的最大栅源电压为 ±8V，支持灵活的电路设计。同时，最大 Rds(on) 对应的驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V，使得它在低电压应用中仍能保持良好的开关性能。
导通电阻（Rds(on)）: 在 2.5A 电流和 4.5V 驱动电压下，最大导通电阻仅为 66 毫欧，这意味着器件在通电状态下的损耗非常低，从而提高整体电路的效率。
开阔电压（Vgs(th)）: 器件的阈值电压最大为 1V（在 250μA 条件下），确保 MOSFET 具有良好的开关性能。
栅极电荷（Qg）: 在 8V 的条件下，栅极电荷值仅为 23nC，从而降低了在开关频率较高时的驱动功耗，有助于实现高效的高速开关操作。
输入电容（Ciss）: 在 10V 时的输入电容值为 561pF，表明其开关特性良好，适合于高频应用。
功率耗散: 器件的最大功耗为 960mW（在环境温度 Ta 下），和 1.7W（在晶体管结温 Tc 下）。这使得 SI2367DS-T1-GE3 适用于较高功率的电源管理应用，同时具备良好的热管理能力。
工作温度范围: SI2367DS-T1-GE3 适应的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于各种极端工作环境，确保稳定性和可靠性。
应用场景
SI2367DS-T1-GE3 MOSFET 由于其优越的电气特性，适用于多个领域，包括但不限于：
电源管理: 适合高效 DC-DC 转换器、负载开关和电量控制，在便携式电子设备、电锁设备与智能家居中居于主导地位。
电机驱动: 在电动机控制与驱动电路中提供快速开关，从而提高驱动系统的效率。
开关电路: 在各种开关电路布局中，SI2367DS-T1-GE3 可作为开关元件以实现高效的电流控制。
封装信息
SI2367DS-T1-GE3 采用表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）封装，具有小型化、轻量化的特点，方便在高密度电路板上进行布局，便于自动化组装。
总结
总之，SI2367DS-T1-GE3 是一款出色的 P 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性与结构设计，成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。它在高效电源管理、开关控制及电机驱动等多种应用中提供了先进的解决方案，是工程师进行电路设计与优化的重要选择。无论是在消费电子、工业控制，还是在汽车电子等领域，SI2367DS-T1-GE3 都能确保高性能与可靠性。