SIA975DJ-T1-GE3
SIA975DJ-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 6V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 8V | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 7.8W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
SIA975DJ-T1-GE3手册
SIA975DJ-T1-GE3概述
SIA975DJ-T1-GE3 产品概述
基本信息
SIA975DJ-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能场效应管（MOSFET），专为低电压应用设计。这款器件采用表面贴装型（SMD）封装，符合现代电子设备的设计需求。其封装类型为PowerPAK® SC-70-6 双，是一种紧凑的结构，适用于空间受限的电路设计。
关键参数
工作电压和电流: SIA975DJ-T1-GE3具备12V的漏源电压（Vdss）特性，同时具有4.5A的连续漏极电流（Id）能力。这意味着该器件能够在相对较低的电压下稳定工作，适应各种低功率应用场景。
导通电阻: 输入的导通电阻（Rds(on)）在特定条件下（41毫欧 @ 4.3A, 4.5V）相对较低。这一特性有助于降低功耗，提高器件在工作时的效率，适用于需要高效率能源转化的应用。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该MOSFET的栅极阈值电压在最大值为1V @ 250µA的条件下，说明其能够通过较低的栅极电压实现导通，适合逻辑电平驱动应用。
栅极电荷 (Qg): 在8V的栅极电压下，栅极电荷的最大值为26nC。这一参数影响到开关速度，较低的栅极电荷有助于提升开关频率，增强电路的响应速度。
输入电容 (Ciss): 在6V的条件下，输入电容达1500pF，考虑到高频应用的特性，这一参数是设计射频和高速开关电路时的重要考量因素。
工作温度范围: 该产品有着广泛的工作温度范围，能够在-55°C到150°C下运行，适合用于严酷环境下的应用，如航空航天、汽车电子和工业控制。
功率处理能力: SIA975DJ-T1-GE3最大功率处理能力为7.8W，使其能够应对相对较高的功率需求，适用于电机驱动、电源管理等领域。
应用场景
SIA975DJ-T1-GE3可以被应用于多种电子产品中，包括但不限于：
电源管理: 由于其低导通电阻和高效能，SIA975DJ-T1-GE3适合用于降压转换器、高效电源开关以及负载驱动。
信号开关: 该MOSFET可以用于低功耗信号开关，与微控制器及其他数字逻辑电路兼容，方便实现快速开关功能。
电机驱动: 在小功率直流电机驱动应用中，能够以高效方式控制电机的启停及转速调节。
LED驱动电路: 适用于LED照明系统，优化驱动电流以提升光效和延长使用寿命。
便携式电子产品: SIA975DJ-T1-GE3的紧凑封装方便在空间有限的产品中实现高效电源管理，如智能手机、平板电脑及其他移动设备。
总结
总体而言，SIA975DJ-T1-GE3是一款专为低电压及低功耗应用设计的高性能P沟道MOSFET，具备优异的导通电阻、广泛的工作温度范围及适用多种应用的特性，使其成为现代电子产品中不可或缺的关键元件。凭借VISHAY (威世)的技术实力及可靠性，SIA975DJ-T1-GE3必将为您的电路设计提供强有力的支持。