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SI7113DN-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.176g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 100V 13.2A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.62按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.62
--
100+
￥5.51
--
750+
￥5.11
--
1500+
￥4.87
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7113DN-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 134 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1480pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） | 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7113DN-T1-E3手册
无数据
SI7113DN-T1-E3概述
SI7113DN-T1-E3 产品概述
产品简介
SI7113DN-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该产品具备高导电性和良好的热稳定性，适用于各种工业和消费电子应用。它采用 PowerPAK® 1212-8 封装形式，适合表面贴装，设计灵活，便于现代电子设备的集成。
关键规格
- FET 类型: P 通道 MOSFET，适用于需要负载控制的应用。
- 漏源电压 (Vdss): 100V，提供了足够的电压裕度，用于高压应用环境。
- 最大连续漏极电流 (Id): 13.2A（在 Tc = 25°C 时），适应大电流负载。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极电压下，该 MOSFET 在 4A 电流时的最大导通电阻为 134 毫欧，确保了低能耗和高效率运行。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3V @ 250µA，适用于快速开关应用。
- 驱动电压: 此产品的驱动电压范围为 4.5V 到 10V，适合多种控制电路。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时，栅极电荷最大值仅为 55nC，有助于实现快速开关速度。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1480pF @ 50V，降低开关损耗。
- 功率耗散: 在环境温度 Ta 下，最大功率耗散为 3.7W，而在结温 Tc 下，可达到 52W，满足高负载工作条件。
- 工作温度范围: -50°C ~ 150°C，允许在极端环境下稳定工作。
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8，采用高效率散热设计，减小PCB空间需求。
应用场景
SI7113DN-T1-E3 设计用于广泛的应用场景：
- 电源管理：适合开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和其他电源管理电路。
- 电机驱动：广泛应用于电机控制与驱动，提供高效能的开关操作。
- 汽车电子：可用于汽车电子设备，如电动窗、电子控制单元（ECU）等，具备高耐温能力。
- 消费电子：在智能家居设备和便携式电子产品中使用，提升设备性能和电池寿命。
性能优势
- 低能耗: 由于其极低的导通电阻，SI7113DN-T1-E3 在运行时消耗更少的能量，减少了系统的总体功耗。
- 高可靠性: 扩大的工作温度范围和高功率耗散能力使其在各种苛刻环境下依然可以稳定工作。
- 快速响应: 出色的开关性能和低栅极电荷使其能够快速响应控制信号，优化系统的整体效率。
结论
SI7113DN-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，融合了出色的电气性能和热管理能力，非常适合要求苛刻的应用场合。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子领域，其可靠性与效率使其成为设计工程师的理想选择。如果您的设计需要高效能和优异的热性能，SI7113DN-T1-E3 将是您的明智之选。