ZVP2110GTA
ZVP2110GTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V |
ZVP2110GTA手册
ZVP2110GTA概述
产品概述：ZVP2110GTA
1. 产品简介
ZVP2110GTA 是由美国 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），封装类型为 SOT-223。该器件设计用于需要高效率和优良热管理的各种电子应用。ZVP2110GTA 的额定功率达 2W，支持最高 100V 的漏源电压，适合在宽广的温度范围内运行，温度可从 -55°C 到 +150°C。
2. 主要参数
制造商: Diodes Incorporated
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电气参数：
连续漏极电流 (Id): 310mA @ 25°C
漏源电压 (Vdss): 100V
驱动电压 (最大 Rds On，最小 Rds On): 10V
导通电阻 (Rds On): 最大 8Ω @ 375mA，10V
阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3.5V @ 1mA
最大 Vgs: ±20V
功率耗散: 最大 2W (Ta)
输入电容 (Ciss): 最大 100pF @ 25V
3. 封装与安装
ZVP2110GTA 采用 SOT-223 的表面贴装型封装，其小型化设计确保了电路板的空间利用效率，便于在现代电子设备中的集成。同时，SOT-223 封装有助于提高导热性能，使该器件在热管理上表现优秀。
4. 应用领域
由于其优良的电气特性，ZVP2110GTA 适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理：可以广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和线性调压器等电源管理系统中。
- 负载开关：可以用于驱动小功率负载，例如继电器、LED灯和传感器。
- 工业用设备：适合于各种工业设备中的开关与控制应用。
5. 性能优势
- 宽温工作范围: ZVP2110GTA 可以在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内稳定工作，极大地扩展了其应用领域，特别在高温或低温环境下仍保持可靠性。
- 低导通损耗: 其最大导通电阻为 8Ω，这意味着在高电流工作时，器件的导通损耗较低，能够显著提高系统效率。
- 简单的驱动要求: 该 MOSFET 对于驱动电压的要求较低，最大 20V 的栅源电压使得其在多种控制电路中更易于集成。
6. 结论
ZVP2110GTA 是一款功能强大、性能可靠的 P 通道 MOSFET，适合于现代电子设备的多种应用。它不仅具有宽广的工作温度范围，还在导通电阻、功率耗散和封装形式等方面展现出显著优势。在电源管理、负载驱动以及工业自动化等领域中，ZVP2110GTA 都能提供优质的性能与可靠性，为电子工程师的设计带来便利。对于需要高效率和灵活性的应用，ZVP2110GTA 无疑是一个值得考虑的优秀选择。