DSS4220V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS4220V-7

商品编码: BM0084327957
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 20V 2A NPN SOT-563
库存 :
2950(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.57
--
200+
¥0.367
--
1500+
¥0.32
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS4220V-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 1A,2V
功率 - 最大值600mW频率 - 跃迁260MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

DSS4220V-7手册

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DSS4220V-7概述

DSS4220V-7 产品概述

概述

DSS4220V-7 是一款高性能的 NPN 晶体管,由 DIODES (美台) 制造,专门设计用于各种电子应用场景。无论是信号放大还是开关控制,这款晶体管以其优越的电气性能和可靠的工作特性,成为广泛使用的选择。DSS4220V-7 采用 SOT-563 封装,适合于表面贴装技术(SMT),可以在紧凑的电路板设计中轻松集成。

基本参数

  1. 类型:NPN 晶体管
  2. 集电极电流 (Ic):最大 2A,足以满足切换和驱动较大负载的需求。
  3. 集射极击穿电压 (VCEO):最大 20V,使其适用于相对低压的应用,增加了电路的安全性。
  4. 饱和压降 (VCE(sat)):在 Ic 为 200mA 和 2A 的情况下,饱和压降仅为 350mV,这降低了功耗,提高了效率。
  5. 截止电流 (Ic(off)):最大 100nA,确保在非导通状态下,能效和电路稳定性。
  6. 直流电流增益 (hFE):在 1A 和 2V 的条件下,最小增益可达 200,确保了信号放大的能力高效可靠。
  7. 功率消耗:最大 600mW,适用于多种电力要求。
  8. 频率:具备高达 260MHz 的跃迁频率,适合高频信号放大及切换应用。
  9. 工作温度范围:-55°C 至 150°C,确保在多种严苛环境下的长期稳定工作。

应用领域

DSS4220V-7 的设计使其在各种应用中表现出色。常见应用场景包括:

  • 开关电源:在电源管理中,该晶体管可以有效控制电流流入和流出,确保系统在高效和安全状态下运行。
  • 信号放大:在音频设备和通信系统中,DSS4220V-7 的高增益特性可用于信号的放大处理。
  • 驱动电路:可用于控制电机、继电器及其他负载的驱动,充分发挥其较高的集电极电流能力。
  • 逻辑电路:由于其低 VCE(sat) 和高频特性,适用于高速开关逻辑电路。

封装与安装

DSS4220V-7 采用 SOT-563 封装,体积小巧,适合板级布线和高密度设计。表面贴装设计有助于提高生产效率,并兼顾电子设备的小型化趋势。用户在进行元器件选型时应考虑 SOT-563 的焊接要求及 PCB 布局,以确保最佳性能。

性能优势

与同类产品相比,DSS4220V-7 在多方面表现出明显优势:

  • 高电流能力:2A 的集电极电流使其适用于更大负载,降低了并联需求。
  • 低功耗:350mV 的饱和压降不仅有助于提升效率,同时也减少了热量产生,降低了散热需求。
  • 宽工作温度范围:能够在-55°C 至 150°C 的极端环境下工作,确保了其在各种工业应用中的可靠性。

总结

DSS4220V-7 是一款出色的 NPN 晶体管,凭借其高效的电气特性和适用于多种应用的灵活性,成为电子设计师和工程师的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,DSS4220V-7 皆能提供卓越的性能和稳定性,为现代电子产品的发展贡献力量。