ZVP2106A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZVP2106A

商品编码: BM0084327954
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 280mA 1个P沟道 TO-92
库存 :
3886(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.16
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.16
--
100+
¥2.53
--
1000+
¥2.26
--
2000+
¥2.14
--
4000+
¥2.03
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVP2106A参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)280mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1mAVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)100pF @ 18V功率耗散(最大值)700mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
供应商器件封装TO-92-3封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

ZVP2106A手册

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ZVP2106A概述

ZVP2106A 产品概述

概述

ZVP2106A是一款高性能的P沟道MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),它具有优异的电气特性和可靠性,专为需要高电流和高电压的应用而设计。采用TO-92封装,ZVP2106A在广泛的工作温度范围内运行,适合于各种电子设备中的开关和放大电路。

主要参数

  • FET类型: P通道MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss): 60V,适用于中高电压应用
  • 连续漏极电流 (Id): 280mA(在25°C环境温度下),确保其在高负载条件下的可靠性
  • 最大栅极-源极电压 (Vgs): ±20V,为电路设计提供了更大的灵活性
  • 最大导通电阻: R_ds(on) 5Ω(@ 500mA, 10V),在导通状态下产生的功率损耗低,提升了整体电路的能效
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值3.5V(@ 1mA),提供简单的驱动方案
  • 输入电容 (Ciss): 最大值达到100pF(@ 18V),能够快速响应,适用于高频应用
  • 功率耗散: 最大值700mW(Ta),确保了较长的使用寿命
  • 工作温度范围: -55°C至150°C(TJ),适应严苛的工作环境

封装与安装

ZVP2106A采用TO-92封装,极小的体积使其非常适合空间有限的应用。作为通孔安装组件,它易于集成入各种电路板设计中。这种封装形式不仅便于加工,亦为散热提供了良好的条件,保证器件在高功率下的稳定运行。

应用领域

ZVP2106A的应用广泛,可以广泛用于如下几个领域:

  1. 开关电源:在DC-DC转换器和线性电源中作为高效的开关元件。
  2. 电机控制:在电机驱动电路中,通过其高电流能力来控制电机的启停和调速。
  3. 音频放大器:利用其低失真特性,可在音频信号放大器中应用。
  4. 家用电器:用于各种家电控制电路中,比如洗衣机、冰箱等大型家电。

性能优势

作为DIODES旗下的产品,ZVP2106A通过严格的质量控制标准,其性能在可靠性和效率方面都得到了保证。当用于实际电路时,可以有效降低功耗、提高系统效率,并且其宽广的工作温度范围保障了设备的稳定性。这些特性使得ZVP2106A在各种应用中都能展现出优越的性能,以及超强的适应能力。

结论

ZVP2106A是一款理想的P沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性和多样的应用潜力,成为设计师和工程师在电子设备设计中的优选元器件。无论是医用设备、工业控制,还是消费电子产品,ZVP2106A都能提供可靠的性能与高效的解决方案,是现代电子设计中不可或缺的一部分。