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SI7858BDP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
Single N-Channel 12 V 0.0025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.51按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.51
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100+
￥7.39
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750+
￥6.72
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1500+
￥6.46
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7858BDP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 84nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5760pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7858BDP-T1-GE3手册
无数据
SI7858BDP-T1-GE3概述
产品概述：SI7858BDP-T1-GE3
一、引言
SI7858BDP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。其设计旨在满足现代电子设备对高效能、高可靠性的要求，广泛应用于电源管理、马达驱动及其他高功率转换应用中。凭借其优越的电气特性和出色的热性能，该产品受到了许多设计工程师的青睐。
二、基础参数
- 类型：N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 连续漏极电流（Id）：40A（在 25°C 时），依据温度变化可调整
- 驱动电压：驱动电压为 1.8V 至 4.5V，确保在多个电压下的稳定工作。
- 导通电阻：在 15A，4.5V 的工况下，最大导通电阻仅为 2.5 毫欧，使得相较于传统的 MOSFET，能显著降低功率损耗。
- 门阈电压（Vgs(th)）：在 250µA 时的阈值电压最大值为 1V，确保低栅极驱动电压能够有效开启MOSFET。
- 栅极电荷（Qg）：栅极电荷最大值为 84nC @ 4.5V，低栅极电荷意味着快速开关特性，适用于开关电源等高频应用。
- 输入电容（Ciss）：在 6V 条件下，输入电容最大值为 5760pF，确保在高频环境下的稳定性能。
- 功率耗散：最大功率耗散为 5W（环境温度 Ta），在极限条件下可达 48W（温度 Tc），适应了不同的工作条件。
- 工作温度：产品的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合高温或极端环境下使用。
三、应用场景
SI7858BDP-T1-GE3 适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、直流-直流转换器中作为主要的开关元件，因其低导通电阻和高效率可显著降低能量损耗。
- 马达驱动：可以在各种马达控制电路中扮演关键角色，提供低延迟、高效率的驱动能力，确保设备的快速响应。
- 电池保护电路：在电池管理系统中，可用于实现过压、过流和短路保护。
- 照明控制：用于LED驱动和调光应用，引入高效率的切换能力。
四、技术优势
- 高效率：通过较低的导通电阻，SI7858BDP-T1-GE3 可在开关状态时显著降低能量损耗，提升整体的能效。
- 广泛的温度范围：其工作温度可以适应极端环境，在许多恶劣条件下依旧保持良好的性能。
- 小型化设计：采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合于空间受限的应用，帮助设计师优化电路布局。
- 快速开关能力：低栅极电荷特性实现快速开启和关闭，提高了开关频率的响应速度，适用于高频应用场景。
五、结论
SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET 以其卓越的电性能和广泛的应用范围，成为现代电力电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是电源管理、马达驱动还是其他高功率应用，该产品都展现出高效、可靠的性能，满足用户对高功率、高效能的需求，是设计工程师在选择MOSFET时的理想选择。