IRFU420PBF
IRFU420PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU420PBF手册
IRFU420PBF概述
IRFU420PBF 产品概述
1. 概述
IRFU420PBF 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件供应商 VISHAY（威世）设计和制造。作为一种主要用于高电压和高功率电子应用的开关元件，IRFU420PBF的特性使其在诸如电源管理、工业控制、以及电动汽车驱动等多个领域中获得广泛应用。
2. 关键规格
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C下可达2.4A
- 驱动电压：最大Rds On下为10V
- 最大导通电阻 (Rds(on))：3Ω @ 1.4A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大值4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：最大19nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：最大360pF @ 25V
- 功率耗散：在环境温度下最大2.5W，在结温下最大42W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：TO-251AA（符合通孔安装要求）
3. 性能特点
IRFU420PBF 采用高级MOSFET技术，提供高漏源电压（500V）和高连续漏极电流（2.4A）能力，适用于需要高电流或高电压工作的场合。其最大导通电阻为3Ω，意味着在工作状态下的能量损耗较低，符合现代功率电子对能效的要求。阈值电压（Vgs(th)）为4V，使得其能够在较低的栅极驱动电压下实现导通，进一步降低了能源消耗并提升了整体系统效率。
另外，IRFU420PBF 的栅极电荷（Qg）为19nC，反映出其对驱动电路的要求较低，适合与各种栅极驱动器件配合使用。其输入电容 (Ciss) 最大值为360pF，为在高频应用中提供稳定的性能，降低了高频开关过程中的延迟和功耗。
4. 应用领域
由于 IRFU420PBF 的优异性能和广泛的工作温度范围，它在多个应用领域中表现出色：
- 开关电源：广泛应用于开关电源的主开关，因其高电压和高频切换性能。
- 电动汽车：在电动汽车的驱动系统中，用作电机控制以及能源回收系统中的开关元件。
- 工业控制：在伺服控制系统和电机驱动中作为主要开关，具有良好的耐久性和可靠性。
5. 封装与安装
IRFU420PBF 采用 TO-251AA 封装，具有短引线设计，方便通孔安装。这种封装形式适合多种电子设备的设计，有助于增加散热效率，并保证在高功率情况下的稳定性和可靠性。TO-251AA的封装使得器件易于在密集的电路板上进行布局，减少空间占用。
6. 结论
综上所述，IRFU420PBF 是一款高性能的N通道MOSFET，其卓越的耐压、导通电阻和工作温度范围，使其成为现代电力电子技术需求的重要选择之一。其应用广泛，从工业自动化到电动汽车驱动，均能发挥重要作用。同时，VISHAY的品牌背书，进一步保证了产品的质量和稳定性，对于设计工程师而言，是推动项目成功的重要组件之一。
如需进一步了解产品信息或进行采购，与 VISHAY 官方渠道或授权代理商联系将是最佳途径。