二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 1.2µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | POWERDI®123 |
供应商器件封装 | PowerDI™ 123 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
S1MSP1-7 是一款高性能的标准恢复二极管,专为各种电子应用而设计,能够承受高达 1000V 的反向电压和 1A 的平均整流电流。这款二极管采用了表面贴装封装,具备出色的热管理和空间利用率,使其在现代电子电路中得到了广泛的应用。
高电压和电流能力: S1MSP1-7 的最高反向电压(Vr)可达 1000V,适合在高电压环境下工作。同时,其平均整流电流(Io)为 1A,能够满足大多数电子设备的电流需求。
优异的正向电压降: 在 1A 的整流条件下,S1MSP1-7 的正向电压降(Vf)小于 1.1V,这意味着在正常工作条件下损耗较低,可以提高系统的能效。
快速恢复特性: 该二极管具有超过 500ns 的标准恢复速度,能够适应快速开关的应用。此外,其反向恢复时间(trr)为 1.2µs,使得该元件在高频应用中表现出色,减少了反向恢复引起的功率损耗。
低反向泄漏电流: 在 1000V 的反向电压下,反向泄漏电流仅为 10µA,证明其在高压操作时效率高,能够有效保护电路免受漏电的影响。
卓越的电容特性: S1MSP1-7 在 4V 和 1MHz 的条件下,其电容值为 4pF,展现出良好的高频性能,有助于在高频率电路中保持信号的完整性。
极宽的工作温度范围: S1MSP1-7 的工作结温范围从 -55°C 到 150°C,这使得它能够在严酷的环境中稳定运行,满足多种工业及消费电子应用的需求。
S1MSP1-7 采用了 POWERDI®123(PDI123)封装,这种表面贴装型设计简化了安装过程,同时也减少了占用的 PCB 空间。这种封装方式利于散热,适合高速、高负载的应用场景。
S1MSP1-7 适用于广泛的应用领域,包括但不限于以下几种:
S1MSP1-7 是一款功能强大的标准恢复二极管,凭借其高电压、高电流能力及优良的电气性能,适合多种需要高效整流和保护的电气应用。其表面贴装设计和出色的热管理特性使其成为现代电子设备中理想的选择。无论是工业、消费电子还是新能源领域,S1MSP1-7 都能提供可靠的性能与支持。