DDC143TH-7
DDC143TH-7参数
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，2.5mA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DDC143TH-7手册
DDC143TH-7概述
产品概述：DDC143TH-7 数字晶体管
引言
DDC143TH-7 是由美台半导体（DIODES）制造的一款高性能数字晶体管，采用 SOT-563 封装。作为一款双 NPN 类型的预偏压式晶体管，该器件被广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要高增益和快速开关特性的场合。凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，DDC143TH-7 适合现代紧凑型设备和高密度电路的需求。
主要特性
双 NPN 结构：DDC143TH-7 内含两个 NPN 晶体管，可实现双通道信号的放大和处理，适合需要并行驱动或复杂逻辑的应用。
高电流承受能力：该器件的集电极电流 (Ic) 最大值为 100mA，能够满足大多数中低功率电路的要求，适合与其他元件共同使用以实现更复杂的功能。
宽电压操作范围：DDC143TH-7 最大集射极击穿电压为 50V，使其能安全地在较高电压条件下工作，适合多种电压环境。
优异的 DC 电流增益 (hFE)：在 1mA 的集电极电流和 5V 的工作条件下，该器件具有至少 100 的电流增益，确保信号的有效放大，增强了其在放大器和开关电路中的使用性能。
较低的饱和压降：其在 250µA 和 2.5mA 的工作条件下，最大饱和压降仅为 300mV，意味着在开关操作过程中能降低功耗，提高电路效率。
频率响应良好：具备高达 250MHz 的跃迁频率，使得 DDC143TH-7 在高速数字信号处理及 RF 应用中表现突出，能够满足关键应用对速度的严格要求。
表面贴装封装：SOT-563 封装使得 DDC143TH-7 占用空间小，更容易集成到小型电路板中，是高密度设计的理想选择。
功率处理能力：其最大功率达到 150mW，确保在多种工作条件下保持稳定的性能，不易过热。
应用场景
DDC143TH-7 由于其卓越的性能，适合于多个应用领域：
- 开关电源：可用作开关元件，提高电源效率。
- 信号放大器：适合用于音频和射频放大电路。
- 逻辑电路：在数字电路中，可以作为开关和逻辑门。
- 传感器接口：在多种传感器应用中做代理，放大示波信号。
- 无线通信设备：在无线发射和接收电路中，用于提高信号强度和传输距离。
结论
DDC143TH-7 数字晶体管凭借其双 NPN 设计、高电流承受能力、优异的增益特性，以及优秀的频率响应，成为现代电子设计中的一款重要组件。其小尺寸的 SOT-563 封装使得器件易于集成到各种紧凑型设计中，同时也提升了整体系统的性能。在各类电子产品、通信设备和自动化系统中，DDC143TH-7 均可发挥重要作用，为设计师提供了可靠的解决方案。