晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 410mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
BC846BLP4-7B 是一款由美台半导体(DIODES)生产的高性能 NPN 晶体管,旨在满足广泛的电子应用需求。其小型表面贴装型封装(DFN-3, 1 x 0.6 mm)使其在空间受限的应用场合中表现突出,非常适合用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
类型与结构:作为一款 NPN 晶体管,BC846BLP4-7B 的基本结构使其在开关和放大电路中具有卓越的性能。NPN 类型晶体管的特点是当基极流入电流时,集电极与发射极之间能够导通,为设计师提供了灵活的电流控制解决方案。
电流与电压能力:
功率和效率:该晶体管的最大功率为 410mW,确保其在高负载情况下仍然可以稳定工作。其饱和压降 Vce(饱和)为 600mV(在 5mA 和 100mA 时),有助于提高电路的效率,降低能量损耗。
小型封装与高频特性:BC846BLP4-7B采用 3-XFDFN 封装,其小巧的体积让它能够轻松被集成到紧凑的电路板中。此外,该晶体管的跃迁频率高达 300 MHz,使其特别适用于高频应用,例如射频信号放大器和开关电源设计。
温度范围与可靠性:其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,保证了在恶劣环境下的可靠运行,适用于汽车电子、工业设备及航空航天应用等高要求的环境。
电流增益:在 2mA 的测试条件下,该器件的 DC 电流增益(hFE)最小值为 200,这意味着即使仅施加小的基极电流,也能获得相对较高的集电极输出电流,增强了其放大作用的效率。
BC846BLP4-7B 的设计使得它适用于多种电子控制和信号处理应用,包括但不限于:
BC846BLP4-7B 是一款非常灵活且高效的 NPN 晶体管,凭借其优异的电流承载能力、低功耗、高频性能和良好的工作温度范围,成为众多电子设计师的首选器件。无论是用于商业产品还是专业设备,其性能都能满足严苛的应用要求,凭借 DIODES 的品质保证,用户可以放心集成到各类电子产品中。