二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 500ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | POWERDI®123 |
供应商器件封装 | PowerDI™ 123 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
RS1MSP1-7是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能标准二极管,专为各种电子应用而设计。该二极管具备高达1000V的反向电压能力和1A的平均整流电流能力,使其成为电源管理、整流电路和各种高压应用的理想选择。得益于其快速恢复特性和优越的热稳定性,RS1MSP1-7在许多苛刻的工作环境中提供高效、可靠的性能。
高反向电压能力: RS1MSP1-7具备最大承受反向电压(Vr)可达1000V,适用于高电压应用,如开关电源、逆变器和高压整流器。
优异的整流性能: 该二极管的平均整流电流(Io)为1A,能够承受较高的瞬态电流,并在负载变化时保持良好的整流性能。
低正向电压降: 在1A电流下,RS1MSP1-7的正向电压降(Vf)为1.3V,优化了功率损耗并提高了整体效率,这对电源电路尤为重要。
快速恢复特性: 该器件的反向恢复时间(trr)为500ns,适合在开关频率较高的电路中使用,降低了开关损耗,提升了系统的工作效率。
低反向泄漏电流: 在1000V的反向电压下,反向泄漏电流仅为10µA,显示出良好的绝缘性能,适用于对电流泄漏有严格要求的应用场合。
小型化封装: RS1MSP1-7采用PowerDI™ 123封装,具备小型化和良好的热性能,适合表面贴装并满足高密度板设计的需求。
宽工作温度范围: 该设备的结温范围为-55°C至150°C,确保其在极端环境下依然可以稳定运行,适合工业自动化、汽车电子等严苛应用。
低电容特性: 具有4pF的输入电容(在4V和1MHz条件下测量)使得该二极管在高频应用时表现良好,减少了信号失真。
RS1MSP1-7广泛应用于多个领域,包括但不限于:
RS1MSP1-7是DIODES(美台)公司推出的一款高性能二极管,凭借其卓越的电气特性和动态响应能力,在多个高要求应用场景中展现出极高的应用价值。其小型化设计和宽广的工作温度范围使其在现代电子设备中极具竞争力,是追求性能、效率和耐用性的工程师们值得信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,RS1MSP1-7都能提供可靠的解决方案和出色的性能。