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SI7414DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.176g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 5.6A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.78按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.78
--
100+
￥5.65
--
750+
￥5.23
--
1500+
￥4.98
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7414DN-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 8.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7414DN-T1-GE3手册
无数据
SI7414DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7414DN-T1-GE3
基本信息
SI7414DN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）推出的一款 N 通道 MOSFET，具有出色的性能和可靠性，适用于各种电子电路设计。以其卓越的漏源电压、优良的导通电阻和宽广的工作温度范围，该器件在许多应用领域中表现出色。
关键参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时可达到 5.6A
- 驱动电压：最佳驱动电压为 4.5V 和 10V
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 和 8.7A 时最大可达 25 毫欧
- 栅源阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 时最大值为 3V
- 栅极电荷 (Qg)：在 10V 下最大为 25nC
- 最大栅源电压 (Vgs)：±20V
- 最大功率耗散：1.5W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 封装类型：表面贴装型 (SMD)
- 封装规格：PowerPAK® 1212-8
性能特点
SI7414DN-T1-GE3 采用了先进的 PowerPAK® 创新封装，能够实现高电流密度和优良的热管理。该 MOSFET 在高电压和高电流应用中表现出卓越的性能，特别适合作为电源开关、DC-DC 转换器、马达驱动器和其他功率管理应用。
其低 Rds(on) 确保了在导通状态下较小的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。在不同 Id 和 Vgs 条件下，该 MOSFET 仍保持出色的电流传导能力，使得系统运行更加稳定。
应用领域
SI7414DN-T1-GE3 非常适合以下应用场合：
- 低侧开关和高侧开关：在电源管理和电机控制中，能够提供高效的开关能力。
- 直流-直流转换器：用于转换电压，以优化能量效率。
- 电池管理系统：在充电和放电过程中，能够保护电池和提升性能。
- 自动化和控制设备：作为驱动元件，支持各种传感器和执行器。
- 电源模块设计：用于开关电源和其他高频应用，提升系统响应速度。
结论
SI7414DN-T1-GE3 是一款极具优势的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气参数、宽广的工作温度范围和高效的封装设计，适合多种电子应用的需求。作为 VISHAY 品牌的产品，SI7414DN-T1-GE3 在性能和可靠性方面都得到了市场的认可，为设计人员提供了良好的选择，以优化其电子设备的性能与功耗。
选择 SI7414DN-T1-GE3，您将获得一种高效、可靠的功率开关解决方案，为您的下一个设计项目提供强有力的支持。