SUM110P08-11L-E3

产品概述：SUM110P08-11L-E3

概述

SUM110P08-11L-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管）。这款产品在电力电子、能源管理和高效率开关电源等应用领域具有广泛的应用潜力。凭借其卓越的电气性能和优越的热管理能力，SUM110P08-11L-E3 成为现代电子设计中理想的选择。

基本参数

该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）高达 80V，适合用于大功率和高电压环境。它的连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达 110A，能够满足许多高负载应用的需求。该器件采用表面贴装型封装（TO-263），简化了PCB的设计与组装，适合自动化装配和空间受限的应用环境。

性能特征

SUM110P08-11L-E3 具有以下优越的电气特性：

• 导通电阻：在 10V 的驱动电压下，产品在 20A 的电流下的最大导通电阻仅为 11.2 毫欧，确保在工作时产生极低的功耗和热量。

• 栅极阈值电压：Vgs(th) 的最大值为 3V @ 250µA，意味着该器件能够在较小的栅极电压下发挥作用，从而降低驱动电路的复杂性和功耗。

• 输入电容：在 40V 时的输入电容（Ciss）达到 10850pF，提供了合理的开关速度，适合在快速开关电源和高频应用中使用。

• 栅极电荷：最大栅极电荷（Qg）为 270nC @ 10V，这意味着其在快速开关操作时可实现更高的效率，降低驱动损耗。

热管理

SUM110P08-11L-E3 的功率耗散能力非常出色，最大在空气中条件下（Ta）可达 13.6W，而在晶体管结温（Tc）下可高达 375W。这使得该 MOSFET 在高负载工作条件下，依然能够保持良好的性能，避免因过热而导致的器件损坏。

工作温度范围

该产品具有广泛的工作温度范围，从 -55°C 至 175°C，这使其在严格的工业环境中依然能够可靠地工作。无论是在高温还是低温的极端环境条件下，SUM110P08-11L-E3 都能提供稳定的性能。

应用场景

SUM110P08-11L-E3 适合于各种需要高效率和高电流处理的应用，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电动机驱动
• 力量转换设备
• 高效电源模块
• 电动车辆和混合动力汽车
• 消费电子产品中的电源管理

结论

SUM110P08-11L-E3 作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，不仅在电气特性上表现卓越，而且在极端工作条件下也具备良好的热稳定性。它的设计和性能使其成为现代高效电子设计中的核心元件，适用于各类高电流应用场景。无论是工业用途还是消费级电子设备，SUM110P08-11L-E3 始终是一个值得信赖的选择。