制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 35pF @ 18V |
ZVN3306A是一款由Diodes Incorporated制造的N通道MOSFET(场效应管),其设计旨在满足各种电子电路设计的需求,特别是在功率管理和开关应用中。这种MOSFET特别优秀地结合了高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
ZVN3306A广泛应用于以下几个领域:
ZVN3306A具备出色的电气性能,包括超低的导通电阻和能够承受高电压的特性,这使得其在电流开关应用中表现优越。这款器件在高频率操作下仍能维持其电容特性,并在降低总功耗的同时,提高开关频率。凭借其广泛的温度范围和高功率耗散能力,能够在不同严苛环境中稳定工作,是设计者理想的选择。
在设计应用ZVN3306A时,设计者需注意器件的最大阈值电压和导通电阻。尽管理论上其导通电阻在500mA时为5Ω,但在实际应用中,负载电流可能会有所不同,因此在设计电路时需计算相应的功耗和热设计,确保MOSFET在安全工作区内运行。
总之,ZVN3306A是一款性能卓越且易于集成的N通道MOSFET,适合中低功率电子设备中的多种应用。其广泛的工作温度范围和高效能能够满足严格的可靠性要求,是工程师在选择场效应管时的热门选择。无论是新产品开发还是现有系统的升级改造,ZVN3306A都展现出了其独特的竞争力。