ZVN3306A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZVN3306A

商品编码: BM0084327914
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO-92
包装 : 
标准卷带
重量 : 
0.221g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 625mW 60V 270mA 1个N沟道 TO-92L-3
库存 :
3086(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.18
按整 :
(1有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.18
--
100+
¥1.74
--
1000+
¥1.56
--
2000+
¥1.47
--
4000+
¥1.4
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN3306A参数

制造商Diodes Incorporated包装散装
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)625mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)漏源电压(Vdss)60V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)35pF @ 18V

ZVN3306A手册

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ZVN3306A概述

产品概述:ZVN3306A N沟道MOSFET

1. 产品简介

ZVN3306A是一款由Diodes Incorporated制造的N通道MOSFET(场效应管),其设计旨在满足各种电子电路设计的需求,特别是在功率管理和开关应用中。这种MOSFET特别优秀地结合了高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

2. 关键参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 零件状态: 有源(Active)
  • 封装类型: TO-92(通孔安装),同时可适用于TO-226-3封装
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,适应极端工作环境
  • 漏源电压(Vdss): 60V,意味着在高压应用下仍能保持良好的性能
  • 连续漏极电流(Id): 270mA,适合中低功率应用
  • 最大功率耗散: 625mW,保证了器件在高负载工作时的安全性
  • 驱动电压: 最大Rds On和最小Rds On均为10V
  • 导通电阻: 最大值为5欧姆(@ 500mA, 10V),确保低能耗
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为35pF(@ 18V),保证高速开关性能
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为2.4V(@ 1mA),确保MOSFET可以在较低电压下启动

3. 应用领域

ZVN3306A广泛应用于以下几个领域:

  • 开关电源: 适用于电源管理和稳压器电路中,可作为开关元件。
  • 线性调节器: 在线性调节电路中充当功率放大器,确保低电压掉落。
  • 负载开关: 可用于控制电源通断的负载开关电路。
  • 低压直流电机驱动: 在较小功率电机的驱动控制中,能够高效控制电机的启停和速度调节。

4. 性能特征

ZVN3306A具备出色的电气性能,包括超低的导通电阻和能够承受高电压的特性,这使得其在电流开关应用中表现优越。这款器件在高频率操作下仍能维持其电容特性,并在降低总功耗的同时,提高开关频率。凭借其广泛的温度范围和高功率耗散能力,能够在不同严苛环境中稳定工作,是设计者理想的选择。

5. 实际考虑

在设计应用ZVN3306A时,设计者需注意器件的最大阈值电压和导通电阻。尽管理论上其导通电阻在500mA时为5Ω,但在实际应用中,负载电流可能会有所不同,因此在设计电路时需计算相应的功耗和热设计,确保MOSFET在安全工作区内运行。

6. 结论

总之,ZVN3306A是一款性能卓越且易于集成的N通道MOSFET,适合中低功率电子设备中的多种应用。其广泛的工作温度范围和高效能能够满足严格的可靠性要求,是工程师在选择场效应管时的热门选择。无论是新产品开发还是现有系统的升级改造,ZVN3306A都展现出了其独特的竞争力。