DMP4015SPSQ-13
DMP4015SPSQ-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47.5nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4234pF @ 20V |
DMP4015SPSQ-13手册
DMP4015SPSQ-13概述
DMP4015SPSQ-13 产品概述
一、产品基本信息
DMP4015SPSQ-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该元件以其高电流承载能力和低导通电阻，使其成为电源管理、负载开关和功率调节等领域的理想选择。
二、规格与参数
FET 类型：DMP4015SPSQ-13 采用 P 通道 MOSFET 设计，具备良好的开关速度和低功耗特性，适合高频电路应用。
额定值：
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 的最大持续漏极电流为 8.5A。这使其能够在多种应用场合中稳定工作，而不会过热或出现其他故障。
- 漏源电压 (Vdss)：最大漏源电压为 40V，为高电压应用提供了稳固的保障。
- 功率耗散：最大功率耗散为 1.3W，能够有效地管理和散热。
导通电阻 (Rds(on))：该元器件在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻最大可达 11 毫欧，下限则随着栅极电压的提高而降低，这对于减小导通损耗至关重要。
阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 2.5V @ 250µA，保证在低电压驱动下启动和连接相对灵敏。
栅极驱动电压 (Vgs)：这款器件的栅极驱动电压最高可达 ±25V，适应多变的电源设计需求。
工作温度：工作温度范围广，从 -55°C 到 +150°C，使其适用于各种恶劣环境及高温应用。
电容特性：
- 栅极电荷 (Qg) 在不同 Vgs 时，最大值为 47.5nC @ 5V，这表明其在快速开关操作中具有较低的驱动功耗。
- 输入电容 (Ciss) 最大值为 4234pF @ 20V，有助于优化系统的信号完整性和响应时间。
三、封装与安装
DMP4015SPSQ-13 采用了表面贴装型设计，封装形式为 PowerDI5060-8。这样的封装不仅有助于降低安装空间，同时也提高了散热能力，适合于现代紧凑电子设计。
四、应用领域
DMP4015SPSQ-13 具有广泛的应用前景，特别是在以下几个领域：
电源管理：适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等相关设计，提供高效率的电源转换。
负载开关：可用于各类负载开关电路，例如电机驱动、LED 驱动等，实现有效的开关控制及功率分配。
功率放大：在音频和信号放大器设计中，该 MOSFET 可提供高增益和最低功率损耗，是音频信号处理的理想选择。
五、总结
DMP4015SPSQ-13 是一款极具优势的 P 通道 MOSFET，不仅具备高电流承载能力和低导通电阻，同时其广泛的工作温度和封装类型使其适用于多种电源管理与功率控制应用。随着电子设备对高效能、高可靠性及低功耗特性的需求不断增强，DMP4015SPSQ-13 将在未来的电子设计中扮演重要角色。
选择 DMP4015SPSQ-13，您将享受高性能与优质产品带来的附加价值，助力您的设计快速实现及市场成功。