DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13 产品概述

产品简介

DMN4034SSD-13 是由美台半导体（DIODES）制造的一款高性能 N-通道 MOSFET。这款场效应管是专为高效率电子应用而设计，具备优越的电气性能和可靠性，适合多种表面贴装类型的电路。无论是在电源管理、开关电路还是驱动负载的场合，DMN4034SSD-13 均能提供卓越的表现。

主要参数

在该产品的设计中，关键参数的选取和优化极大提升了其性能。在常温下（25°C），该元器件的最大连续漏极电流（Id）可达 4.8A，漏源电压（Vdss）的最大承受能力为 40V。这使得该 MOSFET 能够轻松应对大多数低压应用的需求。

导通电阻

DMN4034SSD-13 的导通电阻（Rds(on)）在不同的栅电压（Vgs）下表现卓越。在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻仅为 34 毫欧（@ 6A），这有效减少了导通损耗，并提高了整体效率，尤其适用在需要高效率开关的电路中。

栅极电荷

另外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）在不同的栅源电压下也表现出色。例如，在10V下，最大栅极电荷为 18nC，这意味着其在高频开关应用中具有较低的驱动功耗，有利于提升开关频率，同时减少了热生成。

输入电容

该元器件的输入电容Ciss在20V时的最大值为453pF，为MOSFET的工作带来了优秀的开关特性，降低了对驱动电路的要求，使其在快速开关应用中更加便捷。

工作环境

DMN4034SSD-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使得其可以在各种苛刻的环境中可靠工作。这一宽广的温度范围确保了产品在高温环境下的稳定性，以及在极端低温条件下的可靠性，充分适用于汽车、电源和工业控制等领域。

应用领域

DMN4034SSD-13 广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、马达驱动、灯光控制等领域。由于其逻辑电平的门控设计，这款 MOSFET 在低电压驱动下也能够保持良好的开关特性，非常适合现代数字电路中的集成使用。

封装信息

本产品采用 SO-8 表面贴装封装，非常适合高密度电路板设计。SO-8 封装不仅具有良好的散热性能，还支持自动化生产线的高效组装。

结论

综合来看，DMN4034SSD-13 是一款高效、低损耗及高温工作能力的 N-通道 MOSFET，适合于各种高电流和高电压要求的电子电路，且凭借其逻辑电平的控制功能，使其在众多应用中成为理想的选择。无论是在开关电源设计、LED 驱动还是电机控制等领域，DMN4034SSD-13 都能展现出卓越的性能与可靠性，是您实现高效电子系统的理想合作伙伴。