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ZVP2110A
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
EP3SC
包装 :
编带
重量 :
0.221g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 100V 230mA 1个P沟道 TO-92L-3
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.16按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.16
--
100+
￥2.53
--
1000+
￥2.26
--
2000+
￥2.14
--
4000+
￥2.03
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVP2110A参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V |
ZVP2110A手册
无数据
ZVP2110A概述
ZVP2110A 产品概述
概述
ZVP2110A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET。在现代电子设备中，MOSFET 扮演着关键角色，特别是在开关电源、功率放大器和电机控制等应用中。ZVP2110A 的设计具有低功耗、高效率和广泛的工作范围，适合用于多种电子电路。
基本参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 零件状态: 有源
- FET 类型: P 通道
- 封装型号: TO-92-3
- 功率耗散: 700mW（最大值）
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 连续漏极电流 (Id): 230mA（在 25°C 环境条件下）
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 时，最大值为 8Ω（在 375mA 时）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3.5V @ 1mA
- Vgs（最大值）: ±20V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 100pF @ 25V
技术特性
ZVP2110A 采用先进的 MOSFET 技术，提供优良的导通特性和热管理能力。它的 8Ω 导通电阻使其在高电流应用中尤为高效，能够显著降低功率损耗。此外，由于其较高的漏源电压能力（100V），它广泛适用于高压电路。
该器件的阈值电压 Vgs(th) 最大为 3.5V，允许在较低电压下实现有效的开关操作，非常适合低功耗电路设计。它的 Vgs 最大值为 ±20V，增加了电路设计中的灵活性，使其可以应用于多种电气环境中。
应用场景
ZVP2110A 由于其优良的性能，适用于多种行业和应用领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在电源转换器中，ZVP2110A 能够高效地切换电源，降低能量损失，提高转换效率。
- 电机驱动: 使用该 MOSFET 作为电机驱动电路中的开关，可以实现更好的控制和更低的功率消耗。
- 功率放大器: 在音频和 RF 功率放大器中，ZVP2110A 能提供稳定的性能，保证信号的完整传递。
- 电气控制器: 采用 ZVP2110A 的电气控制器能够提高电路的响应速度和控制精度，尤其是在嵌入式系统中。
封装及安装
ZVP2110A 采用 TO-92-3 形式的封装，具备良好的散热性能和易于通过通孔安装的特点。这种封装方式适合手工焊接和自动化生产，方便设计师在电路板上的布局和组装。
结论
ZVP2110A 是一款功能强大、应用广泛的 P 通道 MOSFET，适合各种高效电子应用。其出色的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围使其成为设计现代高性能电源和控制电路的理想选择。无论是在工业应用还是消费电子中，ZVP2110A 都可以满足对高效、节能和可靠性日益增长的要求。对电子设计师而言，选择 ZVP2110A 将为其产品的创新和性能提升带来极大的帮助。