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ZVN4206GVTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 60V 1A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.41按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.41
--
100+
￥2.73
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN4206GVTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V |
ZVN4206GVTA手册
无数据
ZVN4206GVTA概述
ZVN4206GVTA 产品概述
概述
ZVN4206GVTA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 通道 MOSFET（场效应管），该器件广泛应用于各种电子产品中，特别是在开关电源、线性调节器、以及功率管理应用中。该 MOSFET 的设计旨在提供高效的电流控制和出色的热性能，使其能够满足当今设备对性能和节能的要求。
主要特性
电流与电压参数:
- ZVN4206GVTA 的连续漏极电流（Id）为 1A（在 25°C 时），使其适合在中等功率的应用场景中使用。
- 漏源电压（Vdss）达到 60V，优秀的电压范围使该设备能够可靠地处理高电压应用。
导通电阻:
- 在具备 10V 的驱动电压下，当 Id 为 1.5A 时，最大导通电阻（Rds(on)）仅为 1 欧姆，这一低导通电阻能够显著降低功耗并提高系统效率。
- 随着 Vgs 的变化，MOSFET 的导通特性使其能够在不同负载条件下维持稳定的性能。
输入电容:
- 在 Vds 为 25V 时，输入电容（Ciss）最大为 100pF，确保快速开关响应，使其特别适合高频信号切换应用。
驱动电压:
- 工作条件下的驱动电压范围为 5V 到 10V，用户可以根据设计需求选择适当的驱动电压，以达到优化性能的目的。
散热和功率耗散:
- ZVN4206GVTA 具有高达 2W 的功率耗散能力，适应更高电流和温度环境，确保其在功率密集型应用中的稳定工作。
- 其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，赋予该元器件在严苛环境下的可靠性，适合汽车电子和工业控制等关键应用。
封装:
- 采用 SOT-223 封装，这种表面贴装型设计不仅节约空间，而且易于自动化生产，适应现代快节奏的电子制造流程。
应用场景
ZVN4206GVTA 由于其优异的特性，适用于多个重要的应用领域，具体包括：
- 开关电源: 其高效开关特性使其适于 AC-DC 变换和 DC-DC 转换电路。
- 电机驱动: 在控制电机的开关动作中，ZVN4206GVTA 稳定的性能与导通电阻优化具有重要意义。
- LED 驱动: 高效的功率控制使其成为 LED 照明解决方案中的理想选择。
- 电子负载: 在需要精确控制电流和功率的应用上，该 MOSFET 提供了可靠的解决方案。
结论
总而言之，ZVN4206GVTA 是一款具有优异性能和高可靠性的 N 通道 MOSFET，非常适合现代电子设备的应用需求，如开关电源、电机驱动及 LED 驱动等。其出色的电气参数和广泛的工作温度范围使其在各种苛刻环境下都能保持优异性能，是专业设计师和工程师在设计过程中值得信赖的选择。使用 ZVN4206GVTA，能够更好地满足市场对高效率和高可靠性的电子元器件的需求。