BS170P 产品实物图片
BS170P 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BS170P

商品编码: BM0084327879
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.06
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.06
--
100+
¥1.65
--
1000+
¥1.47
--
2000+
¥1.39
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

BS170P参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mAVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)60pF @ 10V功率耗散(最大值)625mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
供应商器件封装TO-92-3封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

BS170P手册

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BS170P概述

BS170P 产品概述

基本信息

BS170P 是一款广泛应用于电子电路设计中的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),由 DIODES 公司生产。该器件在多种行业得到了广泛采用,特别是在开关电源、电机控制和信号调理等应用场景中,因其优越的性能和可靠性而受到工程师的青睐。

关键参数

BS170P 的一些关键参数概述如下:

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss): 最高 60V,使其适用于多种中等电压的电路。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达到 270mA,充分满足一般低功率应用需求。
  • 最大脉冲电流 (Idm): 3A,这意味着在短时间内该器件可以处理更大的电流,从而适应脉冲式工作条件。
  • 最高功率耗散: 625mW,表明在适当的散热条件下,BS170P 可以长时间稳定工作。
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C,适用于严酷的环境条件,确保器件在极端温度下也能正常工作。

电气特性

BS170P 的电气特性在设计时尤为重要,具体如下:

  • 驱动电压: 最小驱动电压为 10V 时,Rds(on) 最小可达 5Ω,适合于低压低功耗的开关应用。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 3V,在驱动电路中,工程师可以方便地控制开关状态。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 60pF @ 10V,体现出其对输入信号变化的高响应速度,适合于高频应用场合。

封装与安装

BS170P 采用 TO-92-3 和 TO-226-3 的封装形式,方便地进行通孔安装,这使得其在 PCB 设计中有着良好的适配性。这种封装不仅节省了空间(尤其是在紧凑型电子设备中),而且还提供了良好的散热性能,确保器件在工作过程中能够正常工作并维持稳定的性能。

应用场景

BS170P 作为一种功能强大且经济实惠的 N 通道 MOSFET,适用于多种应用,包括:

  1. 开关电源: 可以用于开关控制和功率管理,以实现高效的电源转换。
  2. 电机控制: 在直流小电机驱动和调速系统中,BS170P 可以用于高效能的电流控制。
  3. 信号调理和放大: 对于低功率信号处理,BS170P 能够用作模拟开关或放大器,提供良好的线性工作特性。
  4. 小型电子设备: 如手机、便携式设备中的电源管理系统。

总结

BS170P N 通道 MOSFET 凭借其良好的电气性能、广泛的工作温度范围和适用于多种设计需求的封装形式,成为了一种优秀的电子元器件选择。无论在消费电子、自动控制还是工业设备中,BS170P 都能提供出色的性能,帮助工程师实现高效、可靠的设计。在选择合适的 MOSFET 时,BS170P 是一个值得考虑的选项,其在现代电子电路中发挥的作用无可替代。