FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 60pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
BS170P 是一款广泛应用于电子电路设计中的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),由 DIODES 公司生产。该器件在多种行业得到了广泛采用,特别是在开关电源、电机控制和信号调理等应用场景中,因其优越的性能和可靠性而受到工程师的青睐。
BS170P 的一些关键参数概述如下:
BS170P 的电气特性在设计时尤为重要,具体如下:
BS170P 采用 TO-92-3 和 TO-226-3 的封装形式,方便地进行通孔安装,这使得其在 PCB 设计中有着良好的适配性。这种封装不仅节省了空间(尤其是在紧凑型电子设备中),而且还提供了良好的散热性能,确保器件在工作过程中能够正常工作并维持稳定的性能。
BS170P 作为一种功能强大且经济实惠的 N 通道 MOSFET,适用于多种应用,包括:
BS170P N 通道 MOSFET 凭借其良好的电气性能、广泛的工作温度范围和适用于多种设计需求的封装形式,成为了一种优秀的电子元器件选择。无论在消费电子、自动控制还是工业设备中,BS170P 都能提供出色的性能,帮助工程师实现高效、可靠的设计。在选择合适的 MOSFET 时,BS170P 是一个值得考虑的选项,其在现代电子电路中发挥的作用无可替代。