DMP6110SSS-13
DMP6110SSS-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1030pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP6110SSS-13手册
DMP6110SSS-13概述
DMP6110SSS-13 产品概述
DMP6110SSS-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET：它具有良好的电气特性和广泛的工作环境适应性，适合于多种电子应用场合。这款器件由美台（DIODES）公司制造，采用二次封装技术，以其紧凑的 SO-8 封装形式为用户提供了简便的安装和更高的系统集成度。
主要技术参数
FET 类型: DMP6110SSS-13 是一款 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有较高的效率和良好的热性能。
漏源电压（Vdss）: 该器件的额定漏源电压可达到 60V，适用于多种高压应用场合。
最大驱动电压: 该 MOSFET 的最大 Rds(on) 值分别在 4.5V 和 10V 驱动电压下提供，显示出其在较低门电压下的良好导通性能。
导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5A 和 10V 的条件下，该器件的导通电阻最大值为 110 毫欧，保证了在额定负载下的低功耗和高效能操作。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的 Vgs(th) 最大值为 3V @ 250µA，显示了其在较小电压下能够快速导通的能力。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 19.4nC，这对于高速开关应用来说是一个重要参数。
工作温度范围: DMP6110SSS-13 能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作，使其适合于严酷的环境条件。
功率耗散: 最大功率耗散为 1.5W，便于用户在设计电路时考虑散热问题。
应用场合
由于其优越的参数和可靠性，DMP6110SSS-13 被广泛应用于：
- 电源管理系统：在开关电源（SMPS）和线性稳压器中，应用于电源的开关控制，降低功耗并提高效率。
- 电机驱动：在DC电机和步进电机控制中，作为开关管用于实现精确控制。
- 汽车电子：在汽车控制系统中，应用于电力转换、灯光控制及电动机驱动等。
- 消费电子：如便携式设备和家用电器，优化性能和延长电池续航。
- 工业应用：在电力分配和控制系统中，DMP6110SSS-13可用作负载开关和保护电路。
封装与安装
DMP6110SSS-13 封装采用 SO-8，具有 3.90mm 宽的特点，适合表面贴装技术（SMD），能够有效节省板面积，满足现代电子产品对小型化和高密度布线的需求。其表面贴装设计使得在自动化制造过程中更加方便简洁，也提高了组装的可靠性。
结论
总体而言，DMP6110SSS-13 是一款性能优越、具有广泛适用性的 P 通道 MOSFET，适合多种苛刻的应用环境。其低导通电阻、合适的阈值电压、宽温度范围和实用的封装选择，使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理还是在汽车和工业应用中，DMP6110SSS-13 都展现出极大的潜力和价值，为用户带来了优秀的性能，满足了高效率、高可靠性的设计需求。