制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3V,5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 欧姆 @ 250mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 漏源电压(Vdss) | 200V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 85pF @ 25V |
ZVNL120GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-223 封装,具有优良的电气性能和广泛的应用潜力。此器件特别设计用于高电压和中等电流的开关和放大应用,可有效满足各种工业及消费电子领域的需求。
ZVNL120GTA 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装(SMD)技术,极大地适应现代电子设备的小型化和高密度布局的需求。SOT-223 封装还提供良好的热管理性能,有助于在高功率应用中保持器件的正常操作温度。
ZVNL120GTA 的特性使其广泛应用于以下领域:
ZVNL120GTA 是一款功能强大、性能稳定的 N 通道 MOSFET,凭借其高度的可靠性、出色的电压和电流规格,成为现代电子设计不可或缺的元件之一。无论是在消费电子、工业控制还是汽车全系列应用中,它都能提供可靠的性能和高效率的工作方式。选择 ZVNL120GTA 意味着选择了稳定、耐用和高效能的电子元器件,可以为您的设计方案提供强有力的支持。