功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@10V,3.6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@15V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 633pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 3.6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
PJA3401_R1_00001是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),由知名半导体制造公司PANJIT(强茂)出品。该MOSFET具有1.25W的功率承载能力、30V的最大漏源电压以及3.6A的最大漏电流,采用紧凑的SOT-23封装。这款元器件设计用于高效的开关电源和信号调节电路,是现代电子设备中不可或缺的基础组件。
电气特性:
静态特性:
封装特性:
PJA3401_R1_00001适用于多个领域,具体包括但不限于:
PJA3401_R1_00001是一款可靠且高效的P沟道MOSFET,凭借其优良的电气性能和多样的应用可能性,成为行业内设计工程师的首选元器件之一。无论是在最严苛的环境下,还是宽广的工作温度范围内,这款MOSFET都能保证设备的稳定运行,是现代电子设计中的重要组成部分。选择PJA3401_R1_00001,不仅可以提高产品性能,还能有效降低开发风险,是推进高效电源应用的理想选择。