类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 26V | 电压 - 击穿(最小值) | 28.9V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 42.1V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 71.3A |
功率 - 峰值脉冲 | 3000W(3kW) | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AB,SMC |
供应商器件封装 | DO-214AB(SMCJ) |
SMDJ26A 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),由美国力特(Littelfuse)公司制造,专为保护电子设备免受瞬态电压冲击而设计。该元器件的关键参数使其在各种应用场景中极具优势,特别是在高压和高功率的电源线路保护中。
SMDJ26A 适用于多个领域,包括但不限于:
SMDJ26A 的设计考虑了高效能与可靠性:
采用 SMDJ26A 的设计产品能够获得显著的性能优势:
SMDJ26A 是一款在高压和高功率电路中应用非常广泛的瞬态电压抑制单元。凭借其优越的性能参数和灵活的应用场景,它为电子设备的稳定运行提供了有力的保护。通过采用 SMDJ26A,设计工程师可确保其产品在面对瞬态电压冲击时具有足够的抗击能力,从而大幅提高产品的可靠性与安全性。
在设计电源保护方案时,SMDJ26A的高性能特征,无疑是一个值得青睐的选择。