IPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 80µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD60R600P7SAUMA1手册
IPD60R600P7SAUMA1概述
产品概述：Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N沟道MOSFET
一、产品简介
Infineon 的 IPD60R600P7SAUMA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高级电力应用而设计。该器件具有高达 600V 的漏源电压 (Vdss)，最大连续漏极电流为 6A，适用于各种对功率效率和热管理有严苛要求的电子电路。在广泛的工作温度范围内（-40°C 至 150°C），IPD60R600P7SAUMA1 保证稳定的性能，非常适合在高温恶劣环境中的应用。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss): 该产品的漏源电压高达 600V，这使其适合用于高压应用，如电源转换器、高压驱动电路及工业控制系统。
连续漏极电流 (Id): 在标准条件下，该器件的最大连续漏极电流为 6A，适合需高电流驱动的场合。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 驱动电压下，对于 1.7A 的电流，导通电阻最大值为 600 毫欧，这有助于降低导通损耗，提高电源效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的最大栅极阈值电压为 4V（@80μA），适合用于低电压驱动电路，简化电路设计并提高可靠性。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 9nC（@10V），这一特性表明其在快速开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗。
功率耗散与热管理: 最大功率耗散能力为 30W（在 Tc 情况下），有效的热管理是该器件的一大亮点，它支持设计时降低散热问题的复杂性。
输入电容 (Ciss): 输入电容最大为 363pF（@400V），在设计电路时，能够实现出色的高频性能和开关速度。
三、封装与安装
IPD60R600P7SAUMA1 采用了 TO-252-3（DPAK）封装，安装方式为表面贴装型。这使得该 MOSFET 可便捷地集成到紧凑的电路板设计中，更加方便自动化生产和焊接。DPAK封装具有较低的热阻，帮助器件在高功率应用中保持较低的工作温度。
四、应用场合
Infineon IPD60R600P7SAUMA1 适用于多种高性能电力应用场景，包括但不限于：
- 电源供应器（AC-DC、DC-DC 转换器）
- 电动机驱动与控制
- 照明控制（LED 驱动电路）
- 工业自动化及控制设备
- 可再生能源系统（如太阳能逆变器）
五、总结
Infineon 的 IPD60R600P7SAUMA1 N 通道 MOSFET 通过其高漏源电压、低导通电阻及优秀的开关性能，在电力电子领域展示了其广泛的适用性和卓越的性能。凭借先进的半导体技术和可靠的工作特性，工程师可以利用此器件设计高效的电源解决方案，满足现代电子产品对能效和性能的需求。无论是在家用电器还是高端工业设备，IPD60R600P7SAUMA1 都能成为设计人员的最佳选择。