注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP2008UFG-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
0.058g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.4W；41W 20V 14A；54A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
2075(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.97按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.97
--
100+
￥1.51
--
1000+
￥1.27
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2008UFG-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），54A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6909pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），41W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP2008UFG-7手册
无数据
DMP2008UFG-7概述
DMP2008UFG-7 产品概述
DMP2008UFG-7 是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，专为高效能电源管理和开关应用而设计。该产品由知名电子元器件制造商DIODES（美台）生产，具有卓越的导通性能和广泛的应用场景，特别适用于需要高电流和低导通电阻的场景，如电源开关、DC-DC转换器及电机驱动等。
基本参数
DMP2008UFG-7 的重要规格包括：
- FET类型：P通道
- 工作电压（漏源电压 Vdss）：最高20V
- 持续漏极电流（Id）：在环境温度（Ta）下为14A，在结温（Tc）下可以达到54A。
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的驱动电压下，8毫欧的导通电阻在12A时的表现尤为突出。这使得该MOSFET在高电流应用中表现出色，能够有效降低功耗和热量生成。
- 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的条件下，其最大阈值电压为1V，表明该器件可以在较低电压下实现开关动作，增加了电路设计的灵活性。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为72nC（在4.5V下），这说明该元件在开关时的能耗较低，可帮助提高整体电路的效率。
- 功率耗散能力：最高为2.4W（在环境温度下）和41W（在结温下），使得该器件能够在一定的功率范围内安全且稳定地工作。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，适合于广泛的工业及消费电子应用。
封装和安装类型
DMP2008UFG-7 采用表面贴装型的 PowerDI3333-8 封装，这种封装不仅减小了PCB占用面积，还能有效提升散热性能，适合密集化电路设计与空间受限的场合。PowerDI封装的一大优势是其提供了较低的导热阻抗，使器件能够承受更高的功率，同时降低了因温度升高引发的可靠性问题。
应用场景
DMP2008UFG-7 的高电流承载能力和低导通电阻使其适合使用于多个应用场景，包括：
- 电源管理：在DC-DC转换器中，可用作高效开关，帮助提高电源转换效率，降低能量损耗。
- 电机控制：在电机驱动应用中，MOSFET可以用来实现高效的开关控制，提升电机的工作效率。
- 负载开关应用：可用于智能家居、LED驱动器以及其他需要负载控制的场合。
- 汽车电子：因其优良的热性能和较宽的工作温度范围，使其在汽车电源管理系统及电动汽车中拥有广泛应用。
结论
综上所述，DMP2008UFG-7 是一款技术先进、性能优越的P沟道MOSFET，特别适合高电流、高效率的电子应用。其低导通电阻、宽广的电流承载能力及良好的封装设计，使其成为现代电子系统中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车应用中，DMP2008UFG-7 都能够为设计师提供极大的灵活性和可靠性，是电源设计师和工程师的优选器件。