注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
NX7002AKAR
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
-
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 265mW 60V 190mA 1个N沟道 TO-236AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.214按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.214
--
150+
￥0.152
--
1500+
￥0.13
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
NX7002AKAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 剪切带（CT） |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 功率耗散（最大值） | 265mW（Ta），1.33W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.43nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17pF @ 10V |
NX7002AKAR手册
NX7002AKAR概述
NX7002AKAR 产品概述
产品简介
NX7002AKAR 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电子应用中，尤其是在低功耗和小型化设计的场景中具有显著优势。这款 MOSFET 的设计旨在提供可靠的电流控制和开关性能，适合于工业、通讯设备及消费电子等领域。
核心规格
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 类型: N 通道 MOSFET
- 封装: TO-236AB（也称为 SOT-23-3）
- 器件状态: Digi-Key 停产
- 电流 - 连续漏极 (Id): 190mA （25°C条件下）
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 4.5Ω @ 100mA, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 2.1V @ 250µA
- 最大功率耗散: 265mW（环境温度，Ta），1.33W（壳体温度，Tc）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 0.43nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 17pF @ 10V
特性与优势
高效能: NX7002AKAR 在运行时表现出优异的电气特性，190mA 的电流能力使其能够在多种应用中有效工作，同时最大漏源电压达到 60V 也保证了其在高电压环境中的稳定性。
低导通电阻: 该MOSFET的最大导通电阻为4.5Ω，能够提供较低的功率损耗，适合用于高效率的开关电源和电机控制等场景。
宽工作温度范围: 从-55°C至150°C的工作温度范围，使得 NX7002AKAR 能够满足苛刻环境条件下的可靠运行。
小型封装: TO-236AB 封装不仅占用空间小，且更适合现代电子设备的小型化设计。
快速开关能力: 由于其低栅极电荷和小输入电容，NX7002AKAR 可实现快速开关，有助于提升电路的整体效率。
应用场景
NX7002AKAR 在众多领域均具备广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高效能和快速开关特性，适合用于各种开关电源电路。
- 电机控制: 适用于低功耗电机控制系统，能够快速响应并有效调节电机转速。
- 消费电子: 在消费电子产品中可用于负载开关和小型电源管理电路。
- 通讯设备: 可用于网络设备的电源管理，提高通讯信号的热管理和可靠性。
总结
作为一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，NX7002AKAR 凭借其较低的导通电阻、广泛的工作温度范围和高可靠性，为各种电子应用提供了理想解决方案。虽然此产品在 Digi-Key 上标记为停产，但其核心特性仍然使其在设计早期的电子原型开发中具备重要参考价值。在需要满足高性能和低功耗设计目标的情况下，NX7002AKAR 无疑是一个值得考虑的选择。