BZV55-B33,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZV55-B33,115

商品编码: BM0084327810
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-80C
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
稳压二极管 33V 500mW 50nA@23.1V 80Ω MiniMELF
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.248
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.248
--
50+
¥0.177
--
1250+
¥0.15
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZV55-B33,115参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)33V容差±2%
功率 - 最大值500mW阻抗(最大值)(Zzt)80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50nA @ 23.1V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 200°C安装类型表面贴装型
封装/外壳DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80供应商器件封装LLDS;MiniMelf

BZV55-B33,115手册

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BZV55-B33,115概述

BZV55-B33,115 产品概述

一、基本概述

BZV55-B33,115 是一款高性能的稳压二极管,品牌为 Nexperia(安世)。该器件设计用于稳压应用,其标称齐纳电压为 33V,最大功率可达 500mW。BZV55-B33,115 主要用于提供稳定的电压输出,适合在各种电子电路中有效防止电压过高而导致的损坏。

二、关键参数

  1. 齐纳电压 (Vz): 33V

    • BZV55-B33,115 的齐纳电压为 33V,使其能够在许多中低电压应用中提供有效的电压稳压。这一电压水平适合用于大多数微处理器及其他逻辑元件中的电源管理。
  2. 功率: 500mW

    • 最大功率限制为 500mW,用户在设计电路时需要确保器件的功率消耗不超过此值,以防止器件过热和损坏。
  3. 反向泄漏电流 (Ir): 50nA @ 23.1V

    • 在 23.1V 时的反向泄漏电流为 50nA,表明该器件在正常工作状态下具有极低的漏电流特性,有助于提高电路的整体效率,特别是在低功耗应用中。
  4. 阻抗 (Zzt): 80Ω

    • 最大阻抗值为 80Ω,意味着该器件在工作时能够较稳定地维护其输出电压,适合用于对电压波动敏感的应用。
  5. 工作温度: -65°C ~ 200°C

    • 宽广的工作温度范围使 BZV55-B33,115 能够在各种恶劣环境中可靠工作,适用于航空航天、汽车及工业控制等高温或严寒条件的应用。

三、封装与安装

BZV55-B33,115 采用 SOD-80C 封装,属于表面贴装型(SMT),使其在自动化生产过程中易于集成。小巧的封装设计不仅有利于节省电路板空间,还有助于提高散热效果,从而降低器件温升。SOD-80C 封装的特殊设计确保了设备在高密度布局中的电性能表现出色。

四、应用领域

BZV55-B33,115 稳压二极管适合于各种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理: 在开关电源、线性电源等设计中提供稳压服务,防止过电压。
  2. 信号整形: 用于放大电路中,以确保信号的稳定性和可靠性。
  3. 保护电路: 能够对更加敏感的元件提供反向电压保护,降低因电压波动而导致的损坏风险。
  4. 通信设备: 确保各种通信设备在不稳定电压环境下的稳定工作,避免数据传输错误。

五、结论

BZV55-B33,115 稳压二极管是一款性能优越的电子元件,在电压稳压和保护电路设计中不可或缺。其优秀的参数、宽广的工作温度范围、易于集成的封装类型和低反向泄漏电流特性使其成为当今电子设计中的理想选择。无论是在高速电子设备还是需要高可靠性的工业应用中,BZV55-B33,115 都体现出了其出色的稳压能力和耐用性,能够满足越来越苛刻的设计需求。