晶体管类型 | 2 PNP(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BC856BS,115 是一款由 Nexperia(安世)制造的 PNP 型双极型晶体管(BJT),具有出色的电气性能和广泛的应用范围。这款晶体管特别设计用于低功耗、高增益和高频率的电子电路,具有优越的温度特性和可靠性,适用于多种消费电子产品和工业应用。
电气参数:
频率特性:
功率和温度范围:
封装特点:
BC856BS,115 PNP 晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
BC856BS,115 的优势在于其高增益、低饱和压降与良好的频率响应,使其成为各种电路设计的理想选择。安世(Nexperia)作为知名的半导体制造商,其产品享有很高的市场信誉和可靠性。这款晶体管的优良特性,使其在市场中具有竞争力,能满足日益增长的高效能和高密度电路设计的需求。
BC856BS,115 是一款卓越的 PNP 型晶体管,凭借其高性能、高效率及广泛的适用性,在电子行业中具有重要的地位。无论是设计师还是制造者,选择 BC856BS,115 都将为现代电子设备的设计和运行提供可靠的电气支持。通过其卓越的技术特性,BC856BS,115 在实现高效能电路的过程中,能够有效减少功耗,并提高系统的稳定性与可靠性。