BC856BS,115 产品实物图片
BC856BS,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC856BS,115

商品编码: BM0084327799
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-363
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 65V 100mA PNP SOT-363
库存 :
2256(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.33
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.33
--
200+
¥0.212
--
1500+
¥0.185
--
3000+
¥0.164
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC856BS,115参数

晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)65V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装6-TSSOP

BC856BS,115手册

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BC856BS,115概述

产品概述:BC856BS,115 PNP 晶体管

一、基本介绍

BC856BS,115 是一款由 Nexperia(安世)制造的 PNP 型双极型晶体管(BJT),具有出色的电气性能和广泛的应用范围。这款晶体管特别设计用于低功耗、高增益和高频率的电子电路,具有优越的温度特性和可靠性,适用于多种消费电子产品和工业应用。

二、主要特性

  1. 电气参数

    • 集电极电流(Ic): 最大值为 100mA,确保在一般应用中能够处理较大的负载电流。
    • 集射极击穿电压(Vceo): 最大值为 65V,适合用于高压电路设计。
    • 饱和压降(Vce(sat)): 在 Ic = 100mA 和 Ib = 5mA 时,最大饱和压降为 300mV,表现出较低的功耗特性和高效能。
    • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为 15nA,确保在关断状态下的功耗极低,有助于提高整体电路的效率。
    • 直流电流增益(hFE): 在 Ic = 2mA 时,不低于 200,这表明该晶体管在小信号放大应用中表现出色。
  2. 频率特性

    • 跃迁频率: 该晶体管专为高频应用设计,拥有高达 100MHz 的跃迁频率,适合用于高频开关和射频放大器。
  3. 功率和温度范围

    • 最大功率为 300mW,具备较强的功率处理能力,适合在多种环境下工作。
    • 工作温度可达 150°C (TJ),使其能够在较严苛的环境中运行,适合工业设备和汽车电子应用。
  4. 封装特点

    • BC856BS,115 采用 SOT-363 表面贴装封装,封装尺寸小,有助于提高电路的集成度。同时,SOT-363 封装使得焊接和组装更为简便,适合大规模生产。

三、应用领域

BC856BS,115 PNP 晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子:用于手机、音响设备、计算机和家电中的信号放大和开关电路。
  • 汽车电子:在汽车控制系统中,用作电源开关和信号放大器。
  • 工业控制:在传感器接口和信号处理电路中,用于提升信号强度。
  • 通信设备:适用于无线电频率(RF)放大器的设计,进行信号的放大或调制。

四、优势与市场竞争力

BC856BS,115 的优势在于其高增益、低饱和压降与良好的频率响应,使其成为各种电路设计的理想选择。安世(Nexperia)作为知名的半导体制造商,其产品享有很高的市场信誉和可靠性。这款晶体管的优良特性,使其在市场中具有竞争力,能满足日益增长的高效能和高密度电路设计的需求。

五、总结

BC856BS,115 是一款卓越的 PNP 型晶体管,凭借其高性能、高效率及广泛的适用性,在电子行业中具有重要的地位。无论是设计师还是制造者,选择 BC856BS,115 都将为现代电子设备的设计和运行提供可靠的电气支持。通过其卓越的技术特性,BC856BS,115 在实现高效能电路的过程中,能够有效减少功耗,并提高系统的稳定性与可靠性。