NX138AKR
NX138AKR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 190mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 325mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.4nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20pF @ 30V |
NX138AKR手册
NX138AKR概述
NX138AKR 产品概述
NX138AKR 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），广泛应用于各类电子电路中。这款 MOSFET 采用表面贴装封装，型号为 TO-236AB，适合自动贴装生产线的使用。该器件在许多应用中都显示出优越的性能，特别是在功率管理、开关电源、驱动电路等方面。
基本参数
NX138AKR MOSFET 的主要电气参数如下：
漏极电流 (Id): 在 25°C 时，该器件能够承受连续漏极电流最高可达到 190mA。此特性使其适合用于低功耗驱动电路。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 状态下，导通电阻最大值为 4.5Ω，这意味着在满载条件下，器件的功耗会相对较低，能提高电路的整体效率。
阈值电压 (Vgs(th)): NX138AKR 的栅阈值电压最大为 1.5V（@250µA），表示其在较低的栅电压下就能开始导电，提升了其在低电压应用中的适用性。
漏源电压 (Vdss): 该器件的耐压能力为 60V，足以处理大多数应用所需的电压等级，增加了其使用上的灵活性和安全性。
功率耗散: 最多可承受 325mW 的功率损耗（在 Ta 环境温度下），进一步表明其在高温或高负载情况下的可靠性。
工作温度及其他特点
NX138AKR 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合在恶劣环境下工作。这种高温容忍性使得该器件非常适合军事、汽车及工业应用等特殊领域。
该器件的输入电容 (Ciss) 最大值为 20pF（@30V），以及栅极电荷 (Qg) 最大值为 1.4nC（@10V），有助于降低开关损失，提高开关频率。这些特性使得 NX138AKR 在高频开关电源、无线通信设备和其他高速应用领域表现出色。
安装与封装
NX138AKR 采用 TO-236AB 封装，此类封装以其小型化和高集成度而受到青睐。它的表面贴装设计（SMD）使其在电路板上占用更少的空间，同时也提升了产品在自动化生产线上组装的效率。此外，这种封装设计有助于实现更好的散热性能，这在高功率应用中至关重要。
应用场景
NX138AKR 合适的应用场景包括但不限于：
开关电源电路：其低 Rds(on) 和良好的承载能力使得 NX138AKR 是开关电源设计中的理想选择。
电机驱动：在电机控制和驱动电路中，NX138AKR 的高电流和高耐压特性可以有效实现高效率的电机驱动。
低功耗放大器和开关：由于其适合低电压操作的能力，该 MOSFET 特别适合于低功耗无线设备及传感器应用。
LED 驱动：在 LED 照明设计中，NX138AKR 可以用于高效的 LED 开关和调光控制。
总的来说，NX138AKR 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和宽广的应用范围，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。它为设计工程师在实现高效电路解决方案时提供了可靠的选择，是对各种电气性能和环境条件要求的完美响应。