PDTD113ET,215

PDTD113ET,215 产品概述

一、基本信息

PDTD113ET,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能数字晶体管，属于 NPN 预偏置类型。该元器件采用 TO-236AB（也称 SOT-23-3）封装，具有出色的电气特性和极高的集成度，适合表面贴装（SMD）应用。作为一款有源组件，PDTD113ET,215 主要应用于低功耗数字电路中，如信号放大、开关电路等。

二、关键参数

1. 电流与电压特性：

   • 最大集电极电流（Ic）：500mA，能够满足各种负载的驱动需求。
   • 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，确保该器件在高电压条件下依然稳定工作。

2. 电流增益（hFE）：

   • 在特定条件下（50mA 和 5V），该器件的直流电流增益（hFE）最小值为 33。电流增益的高值意味着该器件在开关模式下可以有效实现信号放大。

3. 饱和压降：

   • 在 2.5mA 基极电流（Ib）和 50mA 集电极电流条件下，最大饱和压降为 300mV。这一特性降低了功耗并提高了效率，对于高频开关应用尤其重要。

4. 静态电流：

   • 集电极截止电流（最大值）：500nA，表示该器件在关闭状态下几乎不消耗电流，进一步支持低功耗应用的要求。

5. 功率和热特性：

   • 最大功率输出为 250mW，非常适合低功率电路设计，同时确保了在正常工作条件下的散热能力。

三、应用场景

PDTD113ET,215 适用于多种电子应用，包括但不限于：

• 数字电路：在逻辑电平转换、信号放大等场合，该晶体管可用于实现数字信号的高效控制和处理。
• 开关电路：由于其快速开关特性，适合用于电机驱动、继电器控制等中低功率开关电路。
• 传感器接口：可以作为各种传感器的前端放大器，以提高信号的传输质量。
• 无线通信：在RF或者其他通信模块中，可以被用作信号升压或开关操作，提高系统的响应速度。

四、封装与安装

PDTD113ET,215 使用 SOT-23-3 封装，这种小型化的表面贴装封装使其在现代电子设备中占用很少的电路板空间，适合空间紧凑的设计需求。表面贴装技术（SMT）使得该器件可以在自动化生产线上轻松进行焊接和组装。

五、总结

总的来说，PDTD113ET,215 是一款具有高电流增益，低饱和压降和优秀静态性能的数字晶体管，适用于广泛的低功耗电子应用。凭借其便捷的表面贴装封装、可靠的电气特性和适应多种电路设计的灵活性，使其成为现代电子设备设计中不可或缺的元件之一。在选择适合的晶体管时，PDTD113ET,215 无疑是值得考虑的优秀选择，为用户提供了强大的性能保障和高效的电源管理解决方案。